EPLD和CPLD是从PAL、GAL基础上发展起来的高密度阵列型PLD器件。它们大多采用了CMOS EPROM、E2PROM和快闪存储器等编程技术,具有高密度、高速度、低功耗等特点。目前各主要半导体公司(Xilinx、Altera、Lattice、AMD等)生产的高密度PLD产品有各自的特点,但总体结构基本相同。大多数EPLD和CPLD器件中至少包含了三种结构:可编程通用逻辑模块GLB(Generic Logic Block)、可编程I/O单元、可编程内部连线。
1)EPLD简介
EPLD(Erasable Programmable Logic Device)的基本结构与PAL、GAL相似,即由可编程的与阵列、固定的或阵列(有些EPLD的或逻辑阵列部分也引入了可编程逻辑结构)和输出逻辑宏单元(OLMC)组成。它的OLMC除了与GAL一样具有可编程的优点外,还增加了对触发器的预置数和异步置零功能,因此,EPLD的OLMC使用灵活性更大。此外,它是一种采用CMOS和UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read-Only Memory,可用紫外线擦除的可编程ROM)工艺制作的可编程逻辑器件,因此它还具有功耗低、噪声容限高、可靠性高、可改写、造价低、集成度高的特点,EPLD器件的集成度可达10 000门以上,比PAL和GAL器件的集成度高得多,属于高密度PLD。如图8.10所示为EPLD器件AT 22V10的电路结构。
图8.10 AT22V10的电路结构框图
2)高密度ISP-PLD简介
高密度ISP-PLD器件的集成度达10 000门/片以上,有的公司生产的高密度ISPPLD集成度已达115 800门/片。阵列型高密度ISP-PLD在电路结构上的主要特点如下:
(1)分区结构
图8.11为高密度ISP-PLD芯片isp LSP 1032的电路结构框图,它将整个芯片分成几个区,每个区有自己的通用逻辑模块(Generic Logic Block,GLB)、可编程的输出布线区(Output Routing Pool,ORP)、编程控制电路和输入/输出单元(I/O Cell,IOC)。各区之间的联系通过一个可编程的全局布线区(Global Routing Pool,GRP)来实现。这种结构的优点是每个区的阵列传输路径短,可减少传输延迟时间。这在大规模集成电路中是很重要的。
图8.11 isp LSP 1032的电路结构(www.xing528.com)
(2)通用逻辑模块(GLB)
GLB一般由可编程的与阵列、乘积项共享的或阵列和输出逻辑宏单元(OLMC)组成。
(3)可编程输入/输出单元(IOC)
输入/输出单元的电路由输入缓冲器、触发器(输入寄存器/锁存器)、三态输出缓冲器和几个可编程的数据选择器组成。
(4)可编程全局布线区(GRP)和输出布线区(ORP)结构
这些布线区都是可编程的矩阵网络,每条横线和每条纵线的交叉点是否接通受1位编程单元状态的控制。通过对ORP的编程,可以使各个分区中的任何一个GLB与一个IOC相连;而通过对GRP的编程,可以实现片内所有GLB的互相连接以及IOC与GRP的连接。
3)在系统可编程通用数字开关(isp GDS)
在系统可编程通用数字开关(In-System Programmable Generic Doptal Switch,ispGDS)用于多片ISP-PLD构成的数字系统中,通过ispGDS可以重新设置每个ISP-PLD的组态,改变它们之间的连接以及它们与外围电路(如负载电路、显示器件等)的连接。ispGDS为数字系统的设计开辟了更加广阔的天地。
下面以isp GDS22为例做简单介绍。图8.12(a)所示为其结构图,它由可编程的开关矩阵和输入/输出单元IOC组成。图8.12(b)所示为其输入/输出单元IOC的结构。IOC的工作方式受编程信号C0、C1、C2的控制。当C0为低电平时,输出三态缓冲器处于工作状态,电路工作在输出方式;数据选择器根据C1C2的编程状态从4个输入中选中一个经输出三态缓冲器送到输出端:当C1C2=11时,输出来自开关矩阵的信号;C1C2=10时,输出反相的来自开关矩阵的信号;当C1C2为01和00时,输出端被分别设置为高电平和低电平。
图8.12 在系统可编程通用数字开关ispGDS22
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