了解内存条：常用的SIMM和DIMM封装形式

内存条是采用多片DRAM封装组合而成，插于微机主板上提供的内存条插槽上即可使用。

内存条按封装形式不同主要分为单列直插式存储器模块SIMM（Single In-Line Memory Module）和双列直插式存储器模块DIMM（Duale In-Line Memory Module）两类。相应微机主板上的插槽也有这两类或其中之一，插装时需注意。

SIMM的 接 口 标 准 有30线、72线 和100线，DIMM的 有168线 和200线。目 前，DIMM应用较多。168线DIMM数据宽度为64位，加错误校验与纠正（ECC）为72位。200线DIMM数据宽度为72位或80位。一般CPU与内存数据的传输为对等传送，所以要注意系统中CPU数据总线的条数与内存条数据宽度应对应。

同一接口标准的内存条有不同容量。例如，168线的DIMM有8 MB、16 MB、32 MB、64 MB、128 MB等容量。但无论其容量多大，其引脚定义是相同的，即是兼容的，差别在于实际使用的地址线数不一样（多余的地址线引脚不用）。

随着计算机技术的发展，CPU速度不断提高，相应对内存速度及容量要求也不断提高。现在，微机主板上使用的主要内存已发展到快速页面模式内存FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM）、扩展数据输出内存EDO DRAM（Extended Data Out DRAM）、突发式EDO内存BEDO DRAM（Burst EDO DRAM）、同步内存SDRAM（Synchronous DRAM），新一代快速内存Rambus DRAM、DDR DRAM、Synclink DRAM等也已开始推出。(www.xing528.com)

FPM DRAM是把连续的内存块以页的形式来处理，当CPU所要读取的数据是在相同页面时，CPU只要送出一个地址信号即可，提高了存取数据的速度。

EDO DRAM和FPM DRAM的基本制造技术相同，仅在缓冲电路有所不同。它在本周期的数据传送尚未完成时，就可进行下一周期的数据传送，所以速度更快。

BEDO DRAM的速度比EDO更快，EDO在时钟超过50 MHz时会出现不稳定状态，而BEDO DRAM可承受50～66 MHz时钟。BEDO DRAM传送数据的方式与EDO DRAM相同，但需要CPU向DRAM发出一个请求，该请求包括现行需要的数据和CPU下一步需要访问的三个数据。

SDRAM可以使用在时钟超过66 MHz以上的系统中，一般插在168线DIMM的插槽上，可传送64位数据。它除了等基本控制信号外，多了一组时钟控制信号，并提供突发式同步时钟周期，可完成连续数据位的传送，还支持同时打开两页内存。它的地址信号和数据信号同步进行传输，因此速度更快。