基于宽禁带半导体材料的电力电子器件优化方案

到目前为止，硅材料一直是电力电子器件所采用的主要半导体材料。主要原因是人们早已掌握了低成本、大批量制造、大尺寸、低缺陷、高纯度的单晶硅材料的技术以及随后对其进行半导体加工的各种工艺技术，人类对硅器件不断的研究和开发投入也是巨大的。但是，硅器件的各方面性能已随其结构设计和制造工艺的完善而接近其由材料特性决定的理论极限（虽然随着器件技术的不断创新这个极限一再被突破），很多人认为依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。因此，将越来越多的注意力投向基于宽禁带半导体材料的电力电子器件。

我们知道，固体中电子的能量具有不连续的量值，电子都分布在一些相互之间不连续的能带（Energy Band）上。价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间歇称为禁带或带隙（Energy Gap或Band Gap）。所以禁带的宽度实际上反映了被束缚的价电子要成为自由电子所必须额外获得的能量。硅的禁带宽度为1.12eV（电子伏特）。而宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等材料。

通过对半导体的学习可以知道，由于具有比硅宽得多的禁带宽度，宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率，因此，基于宽禁带半导体材料（如碳化硅）的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐高温和射线辐射的能力，许多方面的性能都是成数量级的提高。但是，宽禁带半导体器件的发展一直受制于材料的提炼和制造以及随后半导体制造工艺的困难。(www.xing528.com)

直到20世纪90年代，碳化硅材料的提炼和制造技术以及随后的半导体制造工艺才有所突破，到21世纪初推出了基于碳化硅的肖特基二极管，性能全面优于硅肖特基二极管，因而迅速在有关的电力电子装置中应用，其总体效益远远超过这些器件与硅器件之间的价格差异造成的成本增加。氮化镓的半导体制造工艺自20世纪90年代以来也有所突破，因而也已可以在其他材料衬底（Substrate）的基础上实施加工工艺制造相应的器件。由于氮化镓器件具有比碳化硅器件更好的高频特性而较受关注。金刚石在这些宽禁带半导体材料中性能是最好的，很多人称之为最理想的或最具有前景的电力半导体材料。但是金刚石材料的提炼和制造以及随后的半导体制造工艺也是最困难的，目前还没有有效的方法。距离基于金刚石材料的电力电子器件产品的出现还有很长的路要走。