特点与应用范围分析

1.功率MOSFET特点

功率MOSFET属于电压控制型器件，驱动电路比较简单。导通时靠多子的漂移运动来传导电流，开关时不存在少子建立、渡越及存储等问题，开关速度主要由内部电容的充放电时间决定，故开关速度快，高频特性好。但由于其中只有多子参与导电，没有电导调制效应，所以导通电阻较大，通态损耗也随之增大。此外，功率MOSFET的R_on具有正温度系数，可自动实现均温和均流，温度稳定性好，故不存在因过热引发的二次击穿，SOA较宽，允许多个器件并联使用。但功率MOSFET容量较小，只适合小功率，采用模块结构可实现中功率。

2.应用范围

功率MOSFET主要用于高频、开关等中小功率的应用领域。如低压逆变器、变频器等电机驱动与控制；开关电源、UPS、高频及超高频电源、逆变电源等各种电源；电焊机、家用电器、便携式电器、节能灯等各种电器；以及计算机的软硬驱动器、打印机、绘图仪等外部设备。此外，也用于汽车电子、音响电路及仪器仪表等场合。(www.xing528.com)

3.发展趋势

自1975年IR公司开发成功VVMOS开始，至1998年德国西门子（Siemens）公司开发成功CoolMOS^TM，功率MOSFET已取得了长足的发展，现已成为中小功率应用领域的主流开关器件。目前，功率MOSFET最高频率为120MHz，对应功率为300W。常用的VDMOS单管电压为600～800V，SJMOS单管电压为900～1000V，模块为1000V～1200V。功率MOSFET未来仍将向更高频率、超低导通电阻及更高电压方向发展。采用SiC材料可以开发性能更好的功率MOSFET。Infineon公司SiC MOSFET容量为1200V/10A/0.27Ω，美国Cree公司SiCMOSFET容量为1200V/10A/0.27Ω与2300V/5A/0.45Ω。