【摘要】：GB/T 5800—2003《滚动轴承 仪器用精密轴承》规定了公差等级为5A、4A的仪器用精密轴承的公差。本标准修改采用国际标准ISO 1224：1984《滚动轴承 仪器精密轴承》，代替GB/T 5800—1986。仪器用精密轴承公差分为5A、4A级，其公差见表8-38～表8-41。
在本征半导体中掺入微量的杂质元素形成的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质元素的不同，可将杂质半导体分为P型半导体和N型半导体，在室温条件下，对外保持电中性。
1. P型半导体
在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素（如硼、铝），其导电能力会大大增强。掺入三价杂质元素后，在与半导体原子形成共价键结构时会多出1个空穴，空穴容易接收电子而使杂质元素原子成为负离子，如图8 - 2所示。此时空穴的浓度大于自由电子的浓度，因此称空穴是多数载流子，简称多子；自由电子是少数载流子，简称少子。通常称这种掺入三价杂质元素的半导体为P型半导体，也称为空穴型半导体。
2. N型半导体
在纯净半导体中掺入微量的五价杂质元素（如磷、砷），由于五价杂质元素原子的最外层有5个电子，在与周围的半导体原子形成共价键结构时会多出1个电子，电子在受外部条件激发（如通电、加热）时可能会挣脱原子核的束缚形成自由电子，此时杂质元素由于失去电子而成为正离子，如图8 - 3所示。此时自由电子的浓度大于空穴的浓度，因此此时自由电子是多子；空穴是共价键上的电子挣脱原子核的束缚而产生的，因此空穴是少子。通常称这种掺入五价杂质元素的半导体为N型半导体，也称为电子型半导体。(www.xing528.com)
图8-2 P型半导体
图8-3 N型半导体
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