(1)测量反向击穿电流
普通晶体管的反向击穿电流(又称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测,具体方法如图2-38所示。测量时,将万用表置于R×1k或R×100挡,NPN型晶体管的集电极C接黑表笔,发射极E接红表笔;PNP型晶体管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小,则表明被测晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0,则表明被测晶体管的C、E极之间已击穿损坏;若测试时万用表指针来回晃动,则表明被测晶体管的热稳定性不良。
另外,可以用晶体管直流参数测试表的ICEO挡来测量晶体管的反向击穿电流。测试时,先将“hFE/ICEO”选择开关置于ICEO挡,选择晶体管的极性,将被测晶体管的三个引脚插入测试孔,然后按下ICEO键,从表中读出反向击穿电流值即可。
(2)测量反向击穿电压
晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V(BR)测试功能来测量。测量时,先选择被测晶体管的极性,然后将晶体管插入测试孔,按动相应的V(BR)键,即可从表中读出反向击穿电压值。
(3)检测放大能力(www.xing528.com)
晶体管的放大能力可以用数字式万用表的hFE挡测量。以PNP型晶体管为例,首先将数字式万用表的量程开关拨到PNP挡,然后将晶体管插入插孔中(注意引脚与插孔旁的B、C、E对应),接着将电源开关拨至“ON”位置,此时数字式万用表显示的数值便是被测晶体管的直流放大系数hFE值。对于NPN型晶体管,测量时应将数字式万用表的量程开关拨至NPN挡,具体测量方法与PNP型管的方法相同。
另外,也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量晶体管的放大能力。测量时,先将仪表的hFE/ICEO挡置于hFE–100挡或hFE–300挡,选择晶体管的极性,将晶体管插入测试孔后,按动相应的hFE键,即可从表中读出hFE值。
图2-38 晶体管反向击穿电流的检测示意
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