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提取换流阀系统寄生电容的方法

时间:2023-06-24 理论教育 版权反馈
【摘要】:换流阀系统中金属导体尺寸大,结构复杂,需要耗费的计算资源多,采用边界元方法进行计算,仅选取导体表面作为计算域,可以极大提高计算效率。现在考虑由n+1个导体组成的静电独立系统,各个导体所带电荷总量为零。其中σ为面电荷密度。

提取换流阀系统寄生电容的方法

换流阀系统中金属导体尺寸大,结构复杂,需要耗费的计算资源多,采用边界元方法进行计算,仅选取导体表面作为计算域,可以极大提高计算效率

边界元法是一种求解边值问题的积分方法,其基本思路就是将微分方程转换成边界积分方程,然后把方程离散为代数方程组,通过解代数方程组得到问题的数值解[1-3]

设空间区域V的边界由曲面S1和S2组成,区域内的电荷体密度为ρ(r′),分别用r和r′表示场点和源点,R=r-r′。当给出边界条件和区域内电荷分布时,求解区域内及边界上的电位和电场强度分布,可表示为下面的边值问题

式中,ϕ为电位,ε为区域内介质的介电常数,en为边界的外法线方向,ϕ0为边界S1上的电位,E0为边界S2上的法向电场强度。利用格林恒等式将上式化为

式中,ϕ为电位,ε为区域内介质的介电常数,en为边界的外法线方向,ϕ0为边界S1上的电位,E0为边界S2上的法向电场强度。利用格林恒等式将上式化为

式中,r表示区域内的场点,当场点移到区域的边界上时,式(20-2)转化为

式中,r表示区域内的场点,当场点移到区域的边界上时,式(20-2)转化为

考虑区域内无体电荷分布的拉普拉斯情况,则式(20-3)可简化为

考虑区域内无体电荷分布的拉普拉斯情况,则式(20-3)可简化为

将边界离散,并且采用伽辽金加权余量方法,则式(20-4)转化为

将边界离散,并且采用伽辽金加权余量方法,则式(20-4)转化为

式中,e表示场单元的编号,e′表示源单元的编号,Se表示场单元的积分区域,Se′表示源单元的积分区域。令向量,并且令矩阵

式中,e表示场单元的编号,e′表示源单元的编号,Se表示场单元的积分区域,Se′表示源单元的积分区域。令向量,并且令矩阵

将式(20-5)写成矩阵的形式(www.xing528.com)

将式(20-5)写成矩阵的形式

因此,当已知边界电位向量u,通过式(20-9)即可求解边界电场强度向量E,进而得到电荷面密度σ。

现在考虑由n+1个导体组成的静电独立系统,各个导体所带电荷总量为零。设导体的序号为0,1,2,…,n,它们所带电荷量为q0,q1,q2,…qn。根据静电独立系统的定义,有

因此,当已知边界电位向量u,通过式(20-9)即可求解边界电场强度向量E,进而得到电荷面密度σ。

现在考虑由n+1个导体组成的静电独立系统,各个导体所带电荷总量为零。设导体的序号为0,1,2,…,n,它们所带电荷量为q0,q1,q2,…qn。根据静电独立系统的定义,有

对于上述的线性静电独立系统,设0号导体为参考导体,其电位为零,有

对于上述的线性静电独立系统,设0号导体为参考导体,其电位为零,有

假定i号导体为高电位,系统内其余导体电位为零,则根据上式(20-11),有

假定i号导体为高电位,系统内其余导体电位为零,则根据上式(20-11),有

由公式(20-12)可以看出,在假定条件下,只要计算出已知电位为0的导体所带电荷量,即可得知假定的高电位导体与其他导体之间的电容参数。

通过边界元法计算,可得到每个节点的电场强度En,再由Dn0En,及σ=Dn,可得:σ=ε0En。其中σ为面电荷密度。得到节点电荷密度后,对单元做插值,然后积分,即可得到导体的总电荷量。对于线模型,边界元求解得到的是节点的线电荷密度τ,同理,可通过插值求得总电荷量。

由公式(20-12)可以看出,在假定条件下,只要计算出已知电位为0的导体所带电荷量,即可得知假定的高电位导体与其他导体之间的电容参数。

通过边界元法计算,可得到每个节点的电场强度En,再由Dn0En,及σ=Dn,可得:σ=ε0En。其中σ为面电荷密度。得到节点电荷密度后,对单元做插值,然后积分,即可得到导体的总电荷量。对于线模型,边界元求解得到的是节点的线电荷密度τ,同理,可通过插值求得总电荷量。

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