VFTO特性试验回路优化

GB1985-2004《高压交流隔离开关和接地开关》和IEC标准60129中提出了用于考核隔离开关性能的试验回路，如图7-39所示[28]。

图7-39　GB1985和IEC标准规定的隔离开关试验回路

图7-39中，AC电源为电源侧交流电源，DC电源为负载侧直流电源，主要用于给负载侧短母线BS充电以产生残压，C为电源侧回路的集中电容，DS1为试验中被试隔离开关，DS2为辅助隔离开关，主要用于控制对负载侧空载短母线BS充电，d1表示电源侧GIS套管与隔离开关DS1之间的长度，d2表示被试隔离开关与辅助隔离开关之间的长度。

试验时，首先合上DS2，直流电源DC通过DS2对短母线BS充电，带电后的短母线BS可用来模拟隔离开关分闸操作后具有残压的短母线，然后通过合分操作DS1产生VFTO用于试验研究。

VFTO的试验回路应能够尽量广泛地代表大多数接线方式，并且能够模拟出可能产生较大VFTO幅值的情形。根据对特高压变电站的仿真研究结果，并结合图7-39，我国提出了带有分支母线的试验回路，如图7-40所示[28]。

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图7-40　我国的特高压VFTO试验回路

图中，数字1～4表示VFTO的测量点。

图中的试验回路与图7-39相比，在电源侧多加装了一条分支母线，当操作隔离开关DS1时，产生的VFTO波在分支母线末端发生全反射，此时可能会产生较为严重的VFTO。因此，相比于图7-39中所示的试验回路，采用图7-40中的试验回路可能会产生更为严重的VFTO。

另外，隔离开关有快速隔离开关和慢速隔离开关两种类型：一种是快速隔离开关，由河南平高电气股份有限公司（简称平高）生产，该隔离开关可加装并联电阻；一种是慢速隔离开关，由西安西电开关电气有限公司（简称西电）生产。两种隔离开关的技术参数如表7-13所示[29]。

表7-13　两种隔离开关技术参数