不同衬底制作工艺的LED芯片特点分析

➢MB（Metal Bonding）芯片：金属黏着芯片，该芯片属于UEC的专利产品。其特点如下：

1）采用高散热系数的材料——Si作为衬底，散热容易。

2）通过金属层来接合（wafer bonding）磊芯层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3）导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3～4倍），更适用于高驱动电流领域。

4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。

5）尺寸可加大，应用于大功率（High power）领域。

➢GB（Glue Bonding）芯片：黏着结合芯片，该芯片属于UEC的专利产品。其特点如下：

1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS（Absorbable Structure）芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

2）芯片四面发光，具有出色的花样图。

3）亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平（8.6mil）。

4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。(www.xing528.com)

➢TS（Transparent Structure）芯片：透明衬底芯片，该芯片属于HP的专利产品。其特点如下：

1）芯片工艺复杂，远高于AS LED。

2）可靠性卓越。

3）透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。

4）应用广泛。

➢AS（Absorbable Structure）芯片：吸收衬底芯片，这里特指UEC的AS芯片。

其特点如下：

1）四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。

2）可靠性优良。

3）应用广泛。