如何在Pro/E中创建上盖：创建、实体化和拉伸

下面讲解上盖（TOP_COVER.PRT）的创建过程，零件模型及模型树如图7.4.1所示。

图7.4.1 零件模型及模型树

Step1.在装配体中创建上盖（TOP_COVER.PRT）。选择下拉菜单命令；在系统弹出的“元件创建”对话框中选中选项组中的单选项；选中选项组中的单选项；在文本框中输入文件名TOP_COVER，单击按钮；在系统弹出的“创建选项”对话框中选中单选项，单击按钮。

Step2.激活上盖模型。

（1）在模型树中单击，然后右击，在系统弹出的快捷菜单中选择命令。

（2）选择下拉菜单命令，系统弹出“复制几何”操控板，在该操控板中进行下列操作：

①在操控板中，先确认“将参照类型设置为组件上下文”按钮被按下。

②复制几何。在操控板中单击按钮，系统弹出“参照”界面；选中复选框，然后在模型树中选择骨架模型；单击“完成”按钮。

Step3.在模型树中选择，然后右击，在系统弹出的快捷菜单中选择命令。

Step4.创建图7.4.2b所示的实体化特征──实体化1。选取图7.4.2a所示的曲面，选择下拉菜单命令，定义实体化方向如图7.4.2a所示。

图7.4.2 实体化1

Step5.创建图7.4.3所示的零件特征──拉伸1。选择下拉菜单命令；选取ASM_TOP基准平面为草绘平面，选取ASM_RIGHT基准平面为参照平面，方向为；绘制图7.4.4所示的截面草图；在操控板中选取深度类型为。

说明：图7.4.4所示的截面草图全部以骨架模型中的草绘22的草绘轨迹的拐点为参照。

图7.4.3 拉伸1

图7.4.4 截面草图

Step6.创建图7.4.5所示的拉伸特征──拉伸2。选择下拉菜单命令；选取ASM_TOP基准平面为草绘平面，选取ASM_RIGHT基准平面为参照平面，方向为；绘制图7.4.6所示的截面草图；选取深度类型为，输入深度值5.0，并单击“去除材料”按钮。

图7.4.5 拉伸2

图7.4.6 截面草图

Step7.创建图7.4.7所示的筋特征──轮廓筋1。选择下拉菜单命令；单击操控板中的按钮，系统弹出草绘界面；单击此界面中的按钮；选取DTM16基准平面为草绘平面，选取ASM_FRONT基准平面为参照平面，方向为；单击对话框中的按钮；绘制图7.4.8所示的截面草图（用“使用边”命令）；在文本框中输入值1.5，并单击操控板中的按钮，在系统弹出的对话框中单击按钮。

图7.4.7 筋1

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图7.4.8 截面草图

说明：图7.4.8所示的截面草图轨迹以骨架模型中的草绘23的草绘轨迹为参照。

Step8.创建组特征──组LOCAL_GROUP。按住Shift键，在模型树中选取拉伸1～筋1所创建的特征，选择下拉菜单命令。

Step9.创建图7.4.9b所示的镜像特征──镜像1。在模型树区选取组LOCAL_GROUP为镜像对象；选择下拉菜单命令；选取ASM_FRONT基准平面为镜像中心平面。

图7.4.9 镜像1

Step10.创建图7.4.10所示的拉伸特征──拉伸3。选择下拉菜单命令；选取ASM_TOP基准平面为草绘平面，选取ASM_RIGHT基准平面为参照平面，方向为；绘制图7.4.11所示的截面草图；选取深度类型为。

图7.4.10 拉伸3

图7.4.11 截面草图

Step11.创建图7.4.12所示的拉伸特征──拉伸4。选择下拉菜单命令；选取ASM_TOP基准平面为草绘平面，选取ASM_RIGHT基准平面为参照平面，方向为；绘制图7.4.13所示的截面草图；选取深度类型为，输入深度值5.0，并单击“去除材料”按钮。

图7.4.12 拉伸4

图7.4.13 截面草图

Step12.创建图7.4.14所示的实体旋转特征──旋转1。选择下拉菜单命令；在绘图区选取ASM_RIGHT基准平面为草绘平面，选取ASM_FRONT基准平面为草绘参照，方向为；绘制图7.4.15所示的旋转中心线和截面草图；在操控板中选取旋转类型（“定值”），输入旋转角度值360.0。

图7.4.14 旋转1

图7.4.15 截面草图

Step13.创建图7.4.16所示的拉伸特征──拉伸5。选择下拉菜单命令；选取ASM_TOP基准平面为草绘平面，选取ASM_RIGHT基准平面为参照平面，方向为；绘制图7.4.17所示的截面草图；选取深度类型为，并单击“去除材料”按钮。

图7.4.16 拉伸5

图7.4.17 截面草图

Step14.保存模型文件。