【摘要】：沙二上2 砂组层内渗透率级差最大为1 064.25、最小为94.41，非均质系数最大为5.53，最小为4.15，变异系数最大为1.01、最小为0.73；沙二上3 砂组层内渗透率级差最大可达1194.13、最小为104.978，非均质系数最大为9.24、最小为2.77，变异系数最大为0.97、最小为0.71。表4-3沙二上2＋3 油藏各小层层内非均质参数表图7.8IGBT 典型缓冲电路及波形
缓冲电路（Snubber Circuit）又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt 或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。缓冲电路分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。关断缓冲电路又称为du/dt 抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。开通缓冲电路又称为di/dt 抑制电路，用于抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起称为复合缓冲电路。通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，而将开通缓冲电路区别叫做di/dt 抑制电路。
图7.8 所示为IGBT 的一种缓冲电路的电路图。在无缓冲电路的情况下，IGBT 开通电流迅速上升，di/dt 很大；关断时du/dt 很大，并出现很高的过电压。在有缓冲电路的情况下，V开通时Cs 通过Rs 向V 放电，使iC 先上一个台阶，以后因有Li，iC 上升速度减慢；V 关断时负载电流通过VDs 向Cs 分流，减轻了V 的负担，抑制了du/dt 和过电压。VDi 和Ri 的作用是在V 关断时，给Li 提供释放储能的回路。(www.xing528.com)
图7.8 IGBT 典型缓冲电路及波形
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