电力MOSFET仿真模型优化

（1）MOSFET 的仿真模型描述

MOSFET 是一个全控型半导体器件，在漏极电流Id>0 时，通过栅极信号对其控制。在MATLAB 中，MOSFET 模块图标如图1.35所示。MOSFET 模块内部并联了一个二极管，该二极管在MOSFET承受反向电压时导通。MOSFET 模块还包括一个电阻Rs 和一个电容Cs 组成的串联缓冲电路，并与MOSFET 并联。

MOSFET 模块有四个接线端子。标有d 的端子是MOSFET 的漏极，标有s 的端子是MOSFET 的源极，标有g 的端子是MOSFET的栅极控制信号，标有m 的端子可用于测量MOSFET 的电流和电压。

图1.35　MOSFET 模块图标

（2）MOSFET 仿真元件的参数设置

MOSFET 仿真元件的参数设置对话框如图1.36 所示，参数意义如下：

①MOSFET 内电阻Ron（单位是Ω）：当内电感参数设置为0 时，内电阻参数不能设置为0。(www.xing528.com)

②MOSFET 内电感Lon（单位是H）：当内电阻参数设置为0 时，内电感参数不能设置为0。

③内部二极管电阻Rd（单位是Ω）。

④初始电流Ic（单位是A）：通常设置为0。

⑤缓冲电阻Rs（单位是Ω）：如果不用缓冲电路，可设置为无穷大（inf）。

⑥缓冲电容Cs（单位是F）：将Cs 设置为0 时，可以消除缓冲电路；当Cs 设置为inf 时，可得到纯电阻缓冲电路。

图1.36　MOSFET 参数设置对话框