1.自激振荡产生的原因
在低频段和高频段,AF 将产生附加相移。 在低频段,由于耦合电容和旁路电容的作用,AF 将产生超前相移; 在高频段,由于半导体器件存在极间电容,AF 将产生滞后相移。 假设在某一频率f0下,AF 的附加相移达到180°,即φA +φF =2nπ(n =0,1,2,…),则Xi和Xf必然会由中频时的同相变为反相,即|X′i |=|Xi |+ |Xf |。 该式说明净输入信号|X′i |大于输入信号|Xi |,输出量|Xo |增大,所以反馈的结果使放大倍数增大。
如果在输入信号为零时,由于某种含有频率f0的扰动信号(如电源合闸通电),使AF 产生了180°的附加相移,因此产生了输出信号Xo,Xo经过反馈网络和比较电路后,得到净输入信号X′i =0 -Xf =-FXo,送到基本放大电路后再放大,得到增强了的AFXo,Xo将不断增大。 其过程如图4.21 所示。
最终,由于半导体器件的非线性电路达到动态平衡,即反馈信号维持着输出信号,而输出信号又维持着反馈信号,称电路产生了自激振荡。 可见,负反馈放大电路产生自激振荡的根本原因之一是AF 的附加相移。
2.产生自激振荡的条件
由图4.21 可知,在电路产生自激振荡时,由于Xo 与Xf 相互维持,因此Xo =AX′i =-AFXo,即-AF =1,或
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将式(4.88) 写成模和相角形式,即
图4.21 负反馈放大电路的自激振荡
式(4.89) 和式(4.90) 分别称为自激振荡的幅值条件和相位条件。 放大电路只有同时满足上述两个条件,才会产生自激振荡。 电路在起振过程中,|Xo |有一个从小到大的过程,故起振条件为|AF |>1。
阻容耦合的单管放大电路引入负反馈,在低频段和高频段所产生的附加相移分别为0° ~+90°和0° ~-90°,由于不存在满足相位条件的频率,因此不会产生自激振荡。 在两级放大电路中引入负反馈,可以产生0° ~±180°的附加相移,虽然理论上存在满足相位条件的频率f0,当f0趋于无穷大或为零时,附加相移达到±180°,但是此时A =0,不满足幅值条件,因此也不会产生自激振荡。
在三级放大电路中引入负反馈,当频率从零变化到无穷大时,附加相移的变化范围为0° ~±270°,因此存在附加相移等于±180°的频率f0。 若反馈网络为纯电阻网络,当f =f0时,A >0,则可能满足幅值条件,所以电路可能产生自激振荡。 由此可见,三级和三级以上的放大电路引入负反馈易产生自激振荡,并且反馈深度越深,满足幅值条件的可能性越大,越容易产生自激振荡。 因此,在深度负反馈条件下,必须采取措施破坏自激条件,才能使放大电路稳定地工作。
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