场效应管与三极管的优缺点比较

1.场效应管的特点（与双极型晶体管比较）

（1） 场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC。

（2） 场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常高； 双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。

（3） 场效应管是利用多数（一种极性） 载流子导电的； 在双极型晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴） 同时参与了导电。

（4） 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点。

（5） 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS 管） 漏极和源极可以互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、灵活。

（6） 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS 场效应管在硅片上所占的面积只有双极性晶体管的5%。

（7） 场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管低。

（8） 由于MOS 管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄漏，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。

2.各类场效应管的符号和特性曲线(www.xing528.com)

各类场效应管的符号和特性曲线见表1.4。

表1.4　各类场效应管的符号和特性曲线

续表

3.场效应管与三极管的比较

场效应管的栅极G、源极S、漏极D 分别对应于晶体管的基极B、发射极E、集电极C。

表1.5　场效应管与三极管具体内容比较