场效应管主要参数优化分析

1.直流参数

1） 饱和漏极电流IDSS

uGS ＝0 时对应的漏极电流，为耗尽型场效应管的一个重要参数。

2） 夹断电压UGS（off）

uDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压，为耗尽型场效应管的一个重要参数。

结型场效应管和耗尽型MOS 管的参数： NMOS 管为负，PMOS 管为正。

3） 开启电压UT 或UGS（th）

uDS为固定值时能产生漏极电流iD所需的栅源电压uGS的最小值，为增强型场效应管的一个重要参数。

增强型MOS 管的参数： NMOS 管为正，PMOS 管为负。

4） 直流输入电阻RGS

输入电阻很高，结型场效应管一般在10Ω 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于10Ω。

2.交流参数(https://www.xing528.com)

1） 低频跨导gm

gm是衡量栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。

2） 极间电容

这是场效应管3 个电极之间的等效电容，包括栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds。 极间电容越小，则管子的高频性能越好，一般为几个皮法。

3） 输出电阻rds

　rds反映了uDS对iD的影响，是输出特性曲线上Q 点处切线斜率的倒数。 rds在恒流区很大。

3.极限参数

（1） 漏极最大允许耗散功率PDSM。 由场效应管允许的温升决定，漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。

（2） 最大漏极电流IDSM。

（3） 漏源击穿电压U（BR）DS。 当漏极电流iD急剧上升产生雪崩击穿时的uDS。

（4） 栅源击穿电压U（BR）GS。 场效应管工作时，栅源间PN 结处于反偏状态，若uGS ＞U（BR）GS，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。