场效应管主要参数优化分析

1.直流参数

1） 饱和漏极电流IDSS

uGS ＝0 时对应的漏极电流，为耗尽型场效应管的一个重要参数。

2） 夹断电压UGS（off）

uDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压，为耗尽型场效应管的一个重要参数。

结型场效应管和耗尽型MOS 管的参数： NMOS 管为负，PMOS 管为正。

3） 开启电压UT 或UGS（th）

uDS为固定值时能产生漏极电流iD所需的栅源电压uGS的最小值，为增强型场效应管的一个重要参数。

增强型MOS 管的参数： NMOS 管为正，PMOS 管为负。

4） 直流输入电阻RGS

输入电阻很高，结型场效应管一般在10Ω 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于10Ω。

2.交流参数(www.xing528.com)

1） 低频跨导gm

gm是衡量栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。

2） 极间电容

这是场效应管3 个电极之间的等效电容，包括栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds。 极间电容越小，则管子的高频性能越好，一般为几个皮法。

3） 输出电阻rds

　rds反映了uDS对iD的影响，是输出特性曲线上Q 点处切线斜率的倒数。 rds在恒流区很大。

3.极限参数

（1） 漏极最大允许耗散功率PDSM。 由场效应管允许的温升决定，漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。

（2） 最大漏极电流IDSM。

（3） 漏源击穿电压U（BR）DS。 当漏极电流iD急剧上升产生雪崩击穿时的uDS。

（4） 栅源击穿电压U（BR）GS。 场效应管工作时，栅源间PN 结处于反偏状态，若uGS ＞U（BR）GS，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。