晶体管的主要参数与特征频率及功率

半导体三极管的参数分为三大类，即直流参数、交流参数和极限参数。

1.直流参数

（3） 极间反向电流（ICBO、ICEO）。 选用管子时，ICBO、ICEO应尽量小。

2.交流参数

交流参数是描述晶体管对于动态信号的性能指标。

选用管子时，β 应适中，太小放大能力不强，太大性能往往不稳定。

（3） 特征频率fT。

晶体管的电流放大系数与工作频率有关，晶体管超过工作频率范围，β 会随着频率的升高而下降，放大能力减弱甚至失去放大作用。 β 下降到1 时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。

3.极限参数

极限参数是指为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制。

（1） 最大集电极耗散功率PCM。(www.xing528.com)

PCM是集电极电流通过集电结时所产生的功耗，其公式为PCM ＝iCuCE。 通常，PCM ＜1 W时为小功率管，1 W ＜PCM ＜5 W 时为中功率管，PCM≥5 W 时为大功率管。

（2） 最大集电极电流ICM。

即晶体管所允许流过的最大电流。 当集电极电流超过ICM时，晶体管的β 值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至损坏。

（3） 极间反向击穿电压。

晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压称为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生击穿现象。

①U（BR）CBO： 发射极开路时集电极、基极之间的击穿电压。

②U（BR）EBO： 集电极开路时发射极、基极之间的击穿电压。

③U（BR）CEO： 基极开路时集电极、发射极之间的击穿电压。

几个击穿电压在大小上有以下关系，即

注： 以U（BR）CBO为例，下标BR 代表击穿之意，是Breakdown 的字头，CB 代表集电极和基极，O 代表第三个电极E 开路。