【摘要】：数字交叉连接设备DXC完成的主要是STM-N信号的交叉连接功能，它是一个多端口器件，它实际上相当于一个交叉矩阵，完成各个信号间的交叉连接，如图2-7所示。图4.2.1近年来报道的垂直结构GaN基功率电子器件的耐压水平[12]
近年来,随着对高压、高功率器件的耐压值、小型化、可靠性的要求越来越高,在进一步提高横向HEMT器件性能的同时,垂直方向的器件结构也开始发展起来。垂直器件电场分布均匀,不存在局部电场集中的问题,器件稳定性和可靠性相对于横向器件更好,而且由于电极垂直分布,占用的面积也较小,有利于高密度集成。因此,垂直结构Ga N电子器件成为了近年来发展的热点。
垂直器件的必要条件是导电衬底,Si衬底虽然可行,但是由于异质衬底上生长Ga N外延层的高位错密度,Si衬底上垂直结构器件的耐压提升比较有限。随着近年来GaN自支撑衬底技术的不断发展和成熟,低位错密度自支撑衬底的应用也越来越广泛,与垂直结构器件的需求相契合,大大推动了垂直结构GaN器件的发展。垂直结构的GaN电子器件总体上也是分为二极管和晶体管,二极管又包括垂直pn结和肖特基结结构,晶体管包括垂直电流孔径晶体管(CAVET)和垂直金属-氧化物-半导体晶体管(MOSFET)。图4.2.1所示的是近年来报道的垂直结构GaN基功率电子器件的耐压水平。下文将对具体的几种器件结构加以详细的介绍。(www.xing528.com)
图4.2.1 近年来报道的垂直结构GaN基功率电子器件的耐压水平[12]
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