MOCVD是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族、Ⅵ族元素氢化物等作为晶体生长的原材料,以热分解方式在衬底上进行外延生长Ⅲ～Ⅴ族,Ⅱ～Ⅵ族化合物以及它们的多元化合物的薄层单晶的生长方法。自20世纪60年代被首次提出以来,经过70年代至80年代的发展,90年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备GaN基发光二极管和激光器外延片的主流方法。MOCVD外延生长系统包括气体输运分系统、反应室分系统、尾气处理分系统、控制分系统以及原位监测分系统五个主体部分。其中,气体输运分系统是向反应室输运各种源,并且实现其精确控制计量、输入的时间和顺序以及进入反应室的总气体流速等。它主要由载气供应子系统、金属有机物源供应子系统、氢化物供应子系统以及生长/放空多路组合阀组成。反应室分系统主要包括承载衬底的石墨基座、加热器、温度传感器、光学检测窗口以及密封设计配件。尾气处理分系统主要用来处理反应后流出的有毒颗粒和气体,一般是通过裂解或化学催化的办法来完成。生长控制分系统主要由可编程控制器和与之相连的控制计算机组成。其中,控制器负责各种信号的采集、处理和输出;计算机负责材料生长过程中的监控和记录。原位监测分系统由反射率校正红外辐射高温计、反射率监测、翘曲监测等部分组成。图1.5.1是一个低压MOCVD生长系统的示意图。
知识准备
工作现场发现有人触电时，应立即对触电者按触电急救原则实施急救，通过实施触电急救，要求学会使触电者脱离电源的方法和心肺复苏法。如发现工作现场作业者受外伤时，应立即对其采取正确的止血包扎，因此要求学会止血包扎方法。当发现工作现场有作业者骨折时，应立即对其采取正确的骨折固定及安全搬运，因此要求学会骨折固定及伤员搬运方法。
图1.5.1 低压MOCVD生长系统示意图[18]
以GaN为例,GaN薄膜用MOCVD外延法的热力学和动力学的基本过程如图1.5.2所示。外延过程中发生的反应主要有:
(1)TMGa(Ga源)和NH 3(N源)的裂解反应:
项目目标(www.xing528.com)
（1）使触电者就地、快速地脱离电源。
（2）能正确地实施口对口人工呼吸和胸外心脏按压。
（3）具有对创伤者采取正确处理措施的能力。
（4）具有对现场骨折伤员进行正确骨折固定的能力。
（5）具有对伤员进行正确搬运的能力。
知识链接
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
