1.变容二极管直接调频电路
如果在变容二极管两端加一反向电压ur,该反向电压包括反向直流偏置V0和调制信号电压UΩ,即
这时,变容二极管结电容大小受调制信号电压UΩ的控制,利用变容管这一特点,将其接入载波振荡器的振荡回路之中,如图7-2-1所示。
图7-2-1 变容二极管调频电路
图中,uΩ(t)=UΩcos Ωt为调制信号电压,Cc为高频耦合电容,Cφ为低频旁路电容,L2为高频扼流圈。加在变容二极管两端反向电压为
式中,V0为加在变容二极管两端的反向直流偏压。
为了定性讨论变容二极管直接调频电路的工作原理,取出图7-2-1中的振荡回路部分,如图7-2-2所示。
振荡回路中总电容为
式中,Cj为变容二极管结电容,它受调制信号控制,当uΩ(t)改变时,Cj也随之变化。
图7-2-2 变容二极管调频电路中谐振回路
回路的振荡频率表示为
当加在变容二极管D上的调制电压uΩ(t)改变时,变容二极管结电容Cj也随之改变,结果振荡回路总电容C∑发生变化,最终使振荡频率f0发生变化。由于振荡频率的变化是受调制信号控制,所以达到了调频的目的。下面对变容二极管直接调频工作原理进行定量分析。
若调制信号为单音频,即uΩ(t)=UΩcos Ωt,变容二极管结电容为
假设CjQ为调制前变容二极管静态工作点处结电容,即反向直流偏压V0对应的结电容。
调制后,振荡回路总电容
调制前振荡回路总电容
调制前、后振荡回路总电容变化量为
将上式中(1+mcosΩt)r 在mcosΩt=0附近泰勒展开并忽略高次项,得到
利用三角公式
则式(7-2-11)变为
所以(1+mcosΩt)r=1+φ(m,r),因此调制前、后振荡回路总电容变化量可以写成
由于变容二极管调频电路中电感不变,即ΔL=0,上式变为
式中,f0为调制前载波中心频率,C为调制前振荡回路总电容。
所以,
结果分析:
通过上述分析,调频时产生的非线性失真大小取决于Δf2和Δf3的大小。其中,由调制信号二次谐波产生的非线性失真系数为
由调制信号三次谐波产生的非线性失真系数为
总的非线性失真系数
从上式看出,要减小Kf,必须减小Kf2和Kf3,实质上就是减小Δf2和Δf3。
2.晶体振荡器直接调频电路
晶体振荡器直接调频电路如图7-2-3(a)所示。图中,L1、L2、L3为高频扼流圈,它们对高频信号相当于开路,对低频信号相当于短路。
图7-2-3 晶体振荡器直接调频电路
图7-2-4显示了晶体振荡器直接调频电路的调频过程。当外加调制信号发生变化时,即
图7-2-4 晶体振荡器直接调频电路的调频过程
图7-2-5 晶体串入电感
图7-2-6 电抗曲线
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