本小节中,我们将获得解析形式的广义界面位错。结合方程(4.87)~(4.89)给出弹性界面位错密度的控制方程
其中
方程(4.91)的解为[204]
其中
然后,将方程(4.93)带入方程(4.79),我们获得了界面裂纹内任意点(x1,0)处的位移间断
其中,。注意到,Dc和Bc将在之后被求解。求解电磁位错密度要求电磁屈服区之间的关系。在接下来,两种情况a<l<c和a<c<l将分别被讨论。
4.3.4.1 电屈服长度大于磁屈服长度(a<l<c)
在这种情况下,电磁位错密度的控制方程通过联立(4.88)~(4.89)式获得
其中
它的解为
其中
然后,将方程(4.99)~(4.100)带入方程(4.79),获得了电势及磁势的不连续性
其中
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接下来,为了保证电位移在以及磁感应强度在的非奇异性,以下补充方程需要被满足
由此给出了电磁屈服区长度
其中,
。
4.3.4.2 电屈服长度小于磁屈服长度(a<c<l)
在这种情况下,通过联立方程(4.88)~(4.89),我们获得了电磁位错密度的控制方程
其解为
其中,。将方程(4.109)~(4.110)带入方程(4.79),获得了电势及磁势在裂纹面内的不连续性
类似地,为保证电位移在以及磁感应强度在具有非奇异性的额外条件是
这给出了电磁屈服区的长度
其中,。
4.3.4.3 裂纹内的电磁场的迭代近似
到现在为止,需要采用迭代近似的方法获得半导通边界条件下,裂纹面内的电位移和磁感应强度。将方程(4.95)中的位移间断,方程(4.102)和(4.111)中的电势间断,和方程(4.103)和(4.112)中的磁势间断带入方程(4.58)中,获得了关于裂纹面内电位移和磁感应强度的隐式方程
最终,Dc和Bc通过Newton法求解方程(4.115)获得。
表4.2 磁电弹复合材料各组份的材料性质[215]
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