双极晶体管一般由硅制成。如图9-25所示，双极晶体管是由共三层的P型半导体与N型半导体交替地叠放在一起的半导体层组成的，按晶区顺序形成PNP型或NPN型两种类型（表9-12）。
表9-12 双极晶体管的结构与电路图形符号
图9-25 双极晶体管的结构与形状
三个半导体区域相互接通并且从中间向外连接。中间区域称为基极，两个外部区域分别称为发射极和集电极。发射极发出载流子，集电极收集载流子。在N型半导体和P型半导体的结合处形成阻挡层，对双极半导体晶体管而言有两个阻挡层。
基极-发射极区域在晶体管工作中为正向，而基极-集电极区域为反向（晶体管线路符号中的发射极箭头为电流方向）。
实验9-3：把一个BD135功率晶体管和两个电流表按图9-26所示电路接到一个电源上（图9-26中的两个电压表在本实验中不接）。在G1处变化基极电流并观察对集电极电流的影响。
当基极电流有一个小的变化量ΔIB时，在集电极就有一个大的电流变化量ΔIC。
晶体管的基极小电流IB引起集电极一个大的电流IC这是电流放大作用。
图9-26 绘制NPN晶体管特性曲线的测试电路
图9-27 NPN晶体管中的电流（发射极电路）
双极晶体管的发射极区域掺杂多，而集电区域掺杂少。特别薄的基极层（仅几个μm厚）仅有少量的掺杂原子。从发射极溢出的多数载流子（NPN晶体管为电子）的发射极电流流过薄的基极层。此层掺杂较少，因此只有少部分电子在此与空穴结合，因而流过的是微弱的基极电流。
如图9-27所示，基极-集电极阻挡层把极大多数载流子注进集电极，所以形成比基极电流大10～500倍的集电极电流。集电极电流IC与基极电流IB的商称为直流放大系数B（直流放大作用）。
双极晶体管由基极电流控制集电极电流，并且只需要低的控制电功率。
晶体管的直流放大系数及电流的分配：
式中 B——直流放大系数；
IC——集电极电流；
IB——基极电流；
IE——发射极电流。
基极-发射极电压UBE=0V或小于阈值0.4V时，则晶体管截止，只有极少的源于基极-集电极阻挡层的由于热运动所产生的载流子对的反向电流在流动。
实验9-4：根据图9-27所示的电路，如采用BD135晶体管，绘制出不同基极电流时的特性曲线IC=f（UCE）和UCE为固定电压时的特性曲线IB=f（UBE）和IC=f（IB）。
输出特性曲线IB=f（UBE）与二极管特性曲线相一致。基极电流与集电极电流之间的关系为电流控制性曲线IC=f（IB），与调整的基极电流有关，当UCE变化时，则有一个相应的集电极电流。此特性曲线族称为输出特性曲线族。
这3条曲线如图9-28所示是彼此相关的，可以以四象限特性曲族表示。一个UBE=0.65V的基极-发射极电压引起一个IB=1mA的基极电流。在UCE=6V时，则有一个IC=150mA的集电极电流流动。
计算例题：
如图9-28所示的特性曲线，当UCE=12V、IB=2mA时确定缺少的值：
a）IC。
b）UBE。
c）计算其直流放大系数。
解：
a）IC=250mA
b）UBE=0.8V
c）
图9-28 BD135晶体管的特性曲线族
带引线的晶体管封装在一个由塑料或金属制成的壳体中。
表9-13中，TO92为小信号晶体管的典型封装，而TO220和TO3则是用于大功率晶体管的封装。
9.5.1.1 实际使用的晶体管
提要：
晶体管的应用（举例）：
1）双稳态启动电路。
2）光敏开关。
3）直流变频器。
4）电源装置。
5）NF放大器。
6）阈值开关。
表9-13 晶体管的封装
晶体管得到广泛地使用，按其使用范围，晶体管可用作电压匹配、接通大负载以及小信号（电压与电流）的放大等（表9-14）。
表9-14 晶体管的使用范围
对于所有晶体管的应用均应注意以下事项（图9-29）：
1）晶体管由基极控制，所以基极-发射极应正向工作。
2）只有对其施加直流电压，晶体管才能工作。
3）应限制晶体管电流IB和IC。
4）不允许超过损耗功率。
5）按用途来调整其所需要直流电压值（工作点）。
晶体管制造商以特性曲线的形式给出其参数，如UBE、UCE、IB和IC。
BC107和BC171、BC237NPN晶体管见附页。
应注意表9-15所给出的晶体管的极限值，如最高集电极-发射极电压UCEmax、最大集电极电流ICmax和最大损耗功率Ptot。
表9-15 晶体管的极限数据与壳体形状
∗见表9-13。
图9-29 晶体管的导通控制
选择晶体管的原则是在运行工况时不超过其极限值。
计算例题：
按表9-15选取30V/2.5A电源装置所适合的晶体管。
解：
由表9-15得出应选用2N3055
UCE＞30V；ICmax＞2.5A
9.5.1.2 工作点的调整
晶体管可作为放大器和开关，其最常见的电路是图9-30上部所示的共发射极电路。此时，发射极是输入回路和输出回路的公共接线。在基极与发射极之间施加一个交流电压的输入信号，则在集电极和发射极便存在可供使用的输出信号。由于基极电流的波动而引起的集电极电流的变化使集电极的负载电阻把其转变成电压的变化。
在晶体管电路中，用集电极-发射极电压UCE和基极-发射极电压UBE调整工作点（直流电压值）。对此，基极-发射极区必须接正向电压（UBE=0.7V），而集电极-发射极电压UCE在晶体管作为一个交流放大器时应为无危险的Ub/2值。于是交流信号可以在尽可能不失真的情况下得以放大。
ⓘ由下列措施调整工作点：
•基极串联电阻。
•基极电压分压器。
晶体管作为交流放大器时，必须调整工作点。
图9-30 交流电压极大器工作点的确定
工作点的调整：
基极串联电阻：
基极电压分压器：
式中 RV——基极串联电阻；
R1、R2——分压器电阻；
q——穿透电流比（2～5）；
IB——基极电流；
Iq——穿透电流；
Ub——工作电压；
UBE——基极-发射极电压。
利用工作电压Ub并通过以下方法进行必要的工作点的调整：
1）图9-31a所示的基极串联电阻。
2）图9-31b所示基极分压电阻R1和R2。
所使用晶体管的同型元件参数的差异和环境温度的波动对电压分压器电路的影响比对串联电阻电路的影响小。
图9-31 基极-发射极电压的发生
计算例题：
共发射极电路中的BC107晶体管，如图9-31所示，在串联电阻RV或基极分电器的基极电流IB=0.2mA时获得一个UBE=0.62V的基极-发射极电压，工作电压为Ub=16V。请问：
a）基极串联电阻RV为多大？
b）当穿透电流Iq=3IB时，电阻R1和R2为多大？
解：
a）
b）
9.5.1.3 工作点的稳定
如图9-32所示，通过晶体管的本征导电，晶体管电流随温度的波动而发生变化。
随着温度的升高集电极电流IC也随之提高。在基极-发射极电压UBE=0.6V和阻挡温度为25℃时，集电极电流IC=1mA；当温度为100℃时，集电极电流IC从1mA提高到12mA。这意味着特性曲线区中的工作点发生了偏移，并因此使电压UCE下降。
因此应采取以下措施来尽可能地稳定工作点：
1）通过图9-33所示的热敏电阻进行稳定。
2）通过电压负反馈稳定。
3）通过图9-34所示的电流负反馈进行稳定。
图9-32 电压控制特性曲线
图9-33 通过热敏电阻稳定工作点
图9-34 通过电流负反馈稳定工作点
通过热敏电阻稳定。如图9-33所示，当晶体管的温度升高时，热敏电阻的阻值Rθ下降，因此使基极-发射极电压UBE下降，集电极电流IC减少。
电压负反馈。不把基极分压器接到工作电压Ub上，而是把其接到集电极上，于是便构成了一个电压负反馈。
电流负反馈。如图9-34所示，在发射极回路中装一个电阻RE（RE=0.1RC）。由于温度升高而提高的电流IC引起一个大的电压URE。由于基极分压电阻器R1和R2而使电压UR2保持不变，而电压UBE较低，因此使晶体管阻塞而使IC变小。集电极电流对晶体管的输入起到了反控制作用。
发射极电阻RE不管是晶体管的温度变化还是同型元件参数的差异都能使晶体管的电路工作点保持稳定。
电流负反馈（有IC=IE）：
式中 RE——发射极电阻；
RC——集电极电阻；
R1、R2——基极分电器；
Iq——穿透电流；
IB——基极电流；
IC——集电极电流；
Ub——工作电压；
URC——RC上的电压；
UBE——基极-发射极电压；
q——穿透电流比（2～5）；
UR2——R2上的电压；
URE——RE上的电压。
计算例题：
在图9-34所示的电路中，Ub=12V，RC=1kΩ，q=5，RE=100Ω，B=80，UBE=0.7V，RC上的电压为6V。请计算R1和R2。
解：
图9-35 开关用晶体管
9.5.1.4 开关用晶体管
图9-35所示为开关用晶体管，其功能是以小功率快速且无触点地接通电路。对如转换级的开关晶体管仅其开关状态的“截止”（开关打开）或“导通”（开关闭合）是重要的。作为开关，其集电极-发射极区C-E有极大的欧姆值（截止）和极小的欧姆值（导通），控制接线为基极-发射极区B-E。
实验9-5：如图9-35所示，把一只晶体管如BC140经过一只信号灯P1（12V，100mA）接到工作电压Ub上。(www.xing528.com)
a）先在基极串联电阻RV的输入上施加0V电压，然后施加+Ub（把Ub跨接到RV上），测试IB、IC和UCE。
当晶体管截止时P1上无电压，IB=0A，UCE=Ub，IC只有几μA；当晶体管导通时，P1几乎为Ub的全部电压，IB和IC很大，而UCE几乎为零。
b）对输入施加一个频率为10Hz的矩形电压并用示波器显示电压UCE的波形。
矩形信号被放大并传输到输出。接通与断开晶体管则出现一个有节秦的矩形电压（表9-16）。
表9-16 用作开关的晶体管的电压波形
（1）电阻性负载时的接通 在图9-36所示的截止状态中，晶体管集电极-发射极间的电阻RCE很大（工作点A1）。基极电流IB升高，集电极-发射极电压下降。当调整到工作点A2时，基极电流为IBmin。晶体管处于饱合区，其所属的电压称为集电极-发射极饱和电压UCEsat，继续提高UBE和IB，晶体管的工作点迁移到工作点A3。此时晶体管电阻RCE非常小。在工作点A3，UCEsat下降到0.2V左右。
作为开关的晶体管有两种开关状态：即饱和工作状态（导通）或截止工作状态（不导通）。
如图9-36所示，在输出特性曲线区中负载直线上的稳定开关状态接通点（A3）和断开点（A1）应始终处在晶体管的恒定功率双曲线Ptot的下方。在接通时允许负载直线与双曲线相交。由于接通时间极短（t小于1μs），所以在接通时，晶体管不会出现热过载。
接通时间与晶体管型号及电路有关。为了使接通时间更短，则在放大器中引入一个饱和系数ü，它表示基极控制电流相对基极饱和电流的倍数。
图9-36 晶体管电阻性负载时的截止和饱和状态
为了可靠地接通晶体管，则用IB=üIBmin控制晶体管。实践中，是选择一个ü=2～5的饱合系数。
开关用晶体管：
式中 ü——饱和系数；
IB——基极控制电流；
IBmin——集极饱和电流；
Bmin——最小直流放大系数；
IC——集电极电流；
RV——基极串联电阻；
U1——输入电压；
UBE——基极-发射极电压。
通过控制，由于在IC提高时饱和电压UCEsat下降到0.2V，所以损耗功率PV=UCEsatIC也得以降低。由于基极必须要排除许多载流子，所以晶体管的断路时间被放大。为了缩短接通时间，则按图9-37所示在基极串联电阻上并联一个加速电容器C。非线性电阻R2应保证在已开启的输入时在基极处有一个已确定的电位K1。
计算例题：
如图9-38所示，一个NAND门的典型输出电路的信号1的电压为U1=3.4V。在导通电压UF=1.65V时，通过LEDCOX35的电流IF=20mA。BC107晶体管的值为：UBE=0.65V，Bmin=120，UCEsat=0.2V。请确定系列E12的以下值：
a）集电极电阻RC。
b）过控制系数ü=3时基极串联电阻RV。
图9-37 缩短开关时间的电路
图9-38 有NAND门的开关用晶体管
解：
a）
选取RC=160Ω
b）
选取RV=5.6kΩ
（2）感性负载时的接通 如图9-39a所示，当接通一个感性负载时，如继电器线圈，当晶体管接通时，由于自感应而延缓了电流的升高，如图9-39b所示，在接通曲线上从A1变化到A2。在断开时，线圈感应出一个感应电压并使其电流按无二极管R1的断路曲线流动。
图9-39 感性负载时的开关特性
在断开时，感性负载可以在集电极-发射极间形成一个能使晶体管损坏的高电压。
作为防止感应电压损坏的保护，大多对感应线圈并联一个续流二极管，如图9-39a和图9-39b所示，或并联一个RC元件。
（3）容性负载时的接通 接通容性负载时，如一个电源部分充电电容器如图9-40a所示，由于电容器C使损耗电阻R短路而使集电极电流猛增。接通瞬时电流在无R1的接通曲线上流动，如图9-40b所示，当从A2到A1断开时，电流快速下降。
图9-40 容性负载时的开关特性
在接通容性负载时，由于大的电容器的充电电流而使晶体管损坏。
图9-40a所示的串接电阻R1限制了图9-40b所示的接通瞬时的电流。
9.5.1.5 触发电路
提要：触发电路
•双稳态触发电路。
•单稳态触发电路。
•不稳定触发电路。
•阈值开关（施密特触发器）。
触发电路输出Q和
的状态为跳跃式变化，如从0向1。
触发电路的输出Q和
总是相反的，如Q=0和
。
实验9-6：绘制一个图9-41所示的双稳态触发电路。在输入端输入一个设定信号0和清除信号1（+Ub=12V）。测试输出端Q和
信号的状态。用其他的设定与清除信号组合重复实验。
双稳态触发电路在接受了设定信号（S=1）后，其状态Q=1，
；在接受了清除信号（R=1）后，状态Q=0，
。在输入状态S=R=1时，触发电路有禁止状态
。电路接受一个未预料的状态时（未定义状态），则Q=0或Q=1，如图9-42所示。
图9-41 双稳态触发电路
图9-42 双稳态触发电路的信号变化
一个双稳态触发电路有两种稳定状态。当在不导通的晶体管基极上施加一个1信号（+Ub）时，则以反状态转换。若输入脉冲不再存在，则其输出状态也得以保留。
双稳态触发电路可以存储一个信息（一位）。
双稳态触发电路也可以由NOR逻辑电路，如74HC02；或由NAND逻辑电路，如74HC00构成。
阈值开关的输入端E达到一个规定的电压值u1e时，则在输出端Q发出一个信号。大多数采用的电路是施密特触发器，一个能把任意形状的输入电压变换成矩形电压的脉冲形成器，如图9-43c所示。
实验9-7：在图9-43b所示的施密特触发器的输入端先施加一个f=1kHz的正弦交流电压，然后再施加一个同样频率的三角形交流电压。用示波器测定输出电压u2。输出电压u2总是矩形电压。
在静止状态，K1截止（不导通），K2导通。因为有电流流经共发射极电阻RE，所以在输出端Q总为一个低电压。提高输入电压u1，则K1在电压u1e时导通，而当下降到电压u1a时不导通。电压u1e与u1a的差称为开关转换滞后量Δu，如图9-43c所示。
图9-43 施密特触发器
阈值开关（施密特触发器）用于形成矩形脉冲、数据传输时的信号处理以及光敏开关的信号处理。
带定时器组件的触发电路。组件NE555能直接接到与时间有关的电路或阈值开关上。如图9-44所示，它包含两个比较器和一个由3个同样大小的电阻R1、R2和R3组成的分压器。分压器位于定时器组件的工作电压Ub侧。这3个电阻的每一个电阻上都有1/3的工作电压Ub的电压降。把施加到触发器输入端②的电压降到比较器K2的参考电压（Ub/3）以下，则在比较器输出端有一个RS存储器K3要使用的信号1。因此在输出端③有一个信号1。
当比较器K1的阈输入端⑥的电压大于2Ub/3时，在比较器K1输出端就有一个又重新被RS存储器清除的信号1。因此晶体管K4为导电控制，而定时器组件输出端③又为信号0。
用一个RC组件连接触发器输入端②和阈输入端⑥，可让定时器组件在结构上用作单稳定触发电路或不稳定触发电路。
单稳态触发电路。如图9-45所示，定时RC组件（R1、C1）的电压UC施加在输入端⑥（阈）和输入端⑦（放电）。通过在输入端②上的Ub/3的触发脉冲使比较器K2设定到RS存储器，并因此在输出端Q③值为1。当电容器C1上电压UC超过比较器V1输入端b（阈）2/3的Ub时，则输出端为信号1。RC存储器被清除，输出端Q③为0。图9-44所示的晶体管K4为导通控制，使RC元件的电容器C1放电。
图9-44 定时器NE555方框线路图
单稳态触发电路以规定的延续时间产生输出脉冲。单稳态触发电路用于脉冲发送器和脉冲形成器。
不稳态触发电路。当施加工作电压时，图9-46所示的电容器C1不充电，电压UC小于Ub/3，RS存储器被设定，输出端Q为1。当电压UC超过2Ub/3时，则RS存储器被清除。图9-44所示的已导通的晶体管K4经过电阻R2使电容器C1放电，UC低于2Ub/3时，过程又得以继续重复。
图9-45 单稳态触发电路
图9-46 不稳态触发电路
不稳定触发电路发生具有可调脉冲时间ti和可调间隔时间tp的矩形脉冲。不稳定触发电路作为节拍发生器用于如闪光电路。
9.5.1.6 放大器电路
（1）放大器技术的基本概念 一个60W的扬声器可以为提供低电压小信号或小功率信号的1μW的话筒播音，这样的信号应首先进行尽可能不失真地放大，这种放大任务由放大器完成。为了放大，则需要放大元器件，如晶体管。
图9-47所示为有2个输入端和两个输出端的四极放大器。为了能提供所发送的功率，则需要一个电源电压。输出端参数与相应输入端参数比称为放大系数，分为电压放大Vu、电流放大Vi和功率放大Vp。
图9-47 四极放大器
放大系数：
式中 Vu、Vi、Vp——放大系数；
U1～、U2～——输入与输出的交流电压；
I1～、I2～——输入与输出的交流电流；
P1～、P2～——输入与输出的功率。
在放大过程中，对电路计算有意义的主要是交变量。从图9-48所示的特性曲线族上的工作点A出发，可以计算交流电流输入电阻rBE和交流电流输出电阻rCE。由电流控制特性曲线可以确定交流放大系数β。直流放大系数约等于交流放大系数β。
（2）双极晶体管的基本线路 相对于晶体管的3个接线而分为表9-17列出的共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。典型特征是晶体管的接线同属于输入回路和输出回路。在晶体管接线与壳体之间没有交流电压。
图9-48 双极晶体管BC107的特性曲线与特征值
表9-17 双极晶体管放大器基本线路
共发射极电路中的单级双极晶体管放大器
实验9-8：建立起图9-49所示的放大器电路并对电路施加12V的工作电压。用R1调整工作点使URC=6V（UCE=5V，URE=1V）。输入交流电压在f=1kHz时有一个谷峰值
（图9-49中示波图1）。测试并示波放大器输出端电压U2～，并确定电压放大系数。
a）在放大器输出端形成一个交流电压U2～=1.8V和
（图9-49中示波图4）。
b）电压放大系数为
。
图9-49 共发射极电路中NF放大器的电压示波图
图9-50所示的四象限特性曲线族显示出了从控制输入交流电压U1～到输出耦合输出交流电压U2～的放大过程。图9-49所示的由（R1+R2）和R3组成的分压电产生基极偏压UBE（约0.7V）并调整晶体管的工作点A。在放大器输入端，晶体管受一个
的正弦电压控制（图9-49中示波图1）。交流电压U1～叠加到基极偏压UBE上，即形成一个既有直流成分又有交流成分的混合电压（图9-49中示波图2）。如图9-50所示，基极-发射极电压UBE以要放大的交流电压节奏改变了ΔUBE，并且绕直流电压UBE=0.7V把工作点从A1变化到A2。上升的电压UBE以同样的比例提高基极电流IB和集电级电流IC。负载电阻RC（工作电阻）把集电极电流的变化变换成电压降的变化。随着输入电压的增加在负载直线上的工作点从A移向A1，集电极-发射极电压UCE下降。然后，工作点从A1经过静态A移向A2。所形成的电压UCE同UBE一样是一个混合电压并绕直流电压值UCE反相地发生ΔUCE的变化（图9-49中示波图3）。
共发射极电路是输入交流电压U1～和输出交流电压U2～的转换，并有180°的相位差。
当正确地选择了电路参数时，如图9-50所示，UBE产生一个不失真的ΔUBE变量而UCE发生一个很大的变量ΔUCE。输入交流电压U1～放大到输出交流电压U2～（图9-49中示波图4）。
为了在晶体管发热时不使静态工作点发生移动，则使用了使工作点稳定的发射极电阻RE（电流负反馈）。
大容量电容器CE在高频率（XC→0Ω）时把RE短路并把发射极接线的交流接地。电流负反馈用于抑制交流电压。耦合电容器C1隔离直流信号而只传输交流信号。交流电流信号和基极电压产生混合电压。耦合电容器C2输出耦合放大的输出交流电压，即隔离直流电压成分。
图9-50 四象限特性曲线族中的交流电压放大过程
实验9-9：控制晶体管使其失真，即：
a）用R1移动工作点，使UC=3V，并示波U2～。
静态工作点调整错误，如图9-51所示，在U2～的波形中出现了饱和失真。
b）调整UC=6V，把输入电压升高到
，示波U2～。
晶体管过调制。由于非线性的输入特性曲线，出现了图9-52所示的输出电压的失真。
图9-51 错误调整的静态工作点A
图9-52 过调制的晶体管
实验9-10：去掉实验9-8电路中的电容器CE，测试U2～，确定Vu。
当U2～=150mV时，电压放大系数为Vu=4.3。无电容器CE时出现电流负反馈。因此电压放大降低。
当静态工作点和调制限制在输入特性曲线线性区以内时，放大器工作不失真。如图9-53所示，当输出特性曲线族的工作点调整到UCE=Ub/2时，输出端可能有最大的交流电压变化。
图9-53 晶体管的正确调制
（3）多级放大器 一个晶体管的放大作用有时是不够的，利用放大级的特殊特性可以把几级彼此连接起来使用（表9-18）
表9-18 多级放大器
（4）功率放大器 放大器级，如NF放大器，是由一个工作点调整到UCE=Ub/2的晶体管基本电路组成。如图9-54所示，有对称调制的工作状态称为A类工作状态。晶体管从供电中取出与调制无关的差不多相同的集电极电流和获得相同功率，效率为20%，最高达45%。这对蓄电池供电装置是一个缺点。
图9-55所示的推挽电路是一个仅适用于末级功率达100W的功率放大电路，此外，推挽电路失真小。最主要的是在推挽级有两个差不多相同放大性能的互补晶体管。每只晶体管只在一个半周期中导通并放大输入参数。两个晶体管工作点的选择原因是，当非调制时仅有一个小的集电极电流流动，其常用的工作状态为图9-54所示的AB类工作状态，在效率达78%时尽可能有一个不失真的放大过程。图9-54所示的B类工作状态，其工作点处在负载直线的下端点，这里无电流流动。在输入特性曲线上的工作点，在有集电极电流流动之前，首先经过非线性区，这会导致从一只晶体管过渡到另一只晶体管时出现失真。
图9-54 工作状态
图9-55 AB类工作状态中的推挽级
推挽电路效率高、输入电阻大而输出电阻小。
在图9-55所示的有AB类工作状态的推挽电路中，NPN晶体管为正工作电压，而PNP晶体管为负工作电压，因此，I2=0。用交流电压U1～控制，则在正半周期中Q1导通，而负半周期中Q2导通。在负载P1中叠加两个半波电流IC1和IC2而成为一个完整的曲线形状I2，在扬声器中形成一个放大的交流电压U2～。在图9-56所示的推挽电路中，仅采用了一个工作电压。电容器C2上的电荷的作用如同一个负的工作电压。当第一个半周期时Q1导通，电容器C2经过RL短时间充电。在第二个半周期时Q2导通，经过RL仅放少量的电。由于电容器C2的充、放电而在RL上形成交流电压。
放大器有大的输出功率的先决条件是放大器输出端的晶体管有大的集电极电流。大的集电极电流要求有相应大的基极电流。因此，常对放大器串联一个对末级能产生所要求的大基极电流的功率放大级。
图9-56 仅有一个工作电压的推挽电路
复习题
1.一只双极晶体管的工作点应调到多大？
2.为什么在放大级中的双极晶体管必须要有基极偏压？
3.如何分辨发射极电路、集电极电路和基极电路？
4.放大电路中的耦合电容器完成什么任务？
5.为什么在放大器未级要采用推挽电路？
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