【摘要】：通过一个1kΩ的前置电阻把电路接到一个电压可调的电源上，并缓慢地调整电压，使之在正向达到约1V，在反向最高调到50V。图9-20 绘制二极管特性曲线的测试电路图9-20 绘制二极管特性曲线的测试电路图9-21 硅半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管正向时导电，反向时截止。如图9-21所示，二极管通常在阴极标有标志环。如图9-21所示，从死区电压（阈值）起PN结的扩散电压被克服并有导通电流IF。随着截止电压UR的提高，只有很小的反向电流IR在流动。
二极管是由端部接有金属触点的一个P层和一个N层组成的。接P层的接线称为阳极，接N层的接线称为阴极。
实验9-1：利用图9-20所示的在正向有电流误差电路和在反向有电压误差电路的电路，通过电流测试与电压测试绘制出硅二极管的特性曲线，如硅二极管BAY44。通过一个1kΩ的前置电阻把电路接到一个电压可调的电源上，并缓慢地调整电压，使之在正向达到约1V，在反向最高调到50V。
在正向时，在克服了约0.7V的阈值后有一个较大电流（在0.8V时为一个整数100mA）流过；在反向却相反，电流小得几乎测不到（在50V时≈20nA），如图9-21所示。
图9-20 绘制二极管特性曲线的测试电路
图9-21 硅半导体二极管（BAY44）的伏安特性曲线(www.xing528.com)
半导体二极管正向时导电，反向时截止。
如图9-21所示，二极管通常在阴极标有标志环。二极管的参数按半导体材料的不同而不同（表9-8）。
（1）正向导通 如图9-20a所示，外接电源的正极接二极管的阳极，而负极接二极管阴极。如图9-21所示，从死区电压（阈值）起PN结的扩散电压被克服并有导通电流IF。
（2）反向截止 如图9-20b所示，外接电源负极接二极管阳极，而负极接接二极管阴极。随着截止电压UR的提高，只有很小的反向电流IR在流动。在峰值截止电压以上，反向电流提升很快，二极管被损坏。
表9-8 锗二极管与硅二极管的比较
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