规模化生产太阳电池的芯片尺寸分别为（103mm×103mm、125mm×125mm、156mm×156mm和210mm×210mm的方片。目前的主流仍是156mm×156mm，2007年将过渡到210mm×210mm为主流芯片。最近德国已推出了代表国际最先进的210mm×210mm硅片全自动生产设备。
太阳电池的芯片的厚度也愈来愈薄，从300μm→270μm→240μm→210μm→180μm，目前晶体硅片主要使用厚度为210～240μm。
2.太阳电池的芯片材料及转换效率
（1）晶体硅（单晶硅和多晶硅）太阳电池 2004年晶体硅太阳电池占总量的84.6%，生产技术成熟，是光伏产业的主导产品，在光伏产业中占据着统治地位。对于高效单晶硅太阳电池，国际最高转换效率为24.7%，目前世界技术先进产品转换效率为19%～20%。对于多晶硅太阳电池效率已突破19.8%，技术先进产品的效率为15%～18%。(www.xing528.com)
（2）非晶体硅太阳电池 α-Si（非晶硅）太阳电池一般采用高频辉光使硅烷分解沉积而成。由于分解温度低（250～500℃），可在薄玻璃、陶瓷、不锈钢和塑料底片上沉积1μm厚的薄膜，巨易于大面积化。非晶硅太阳电池多数采用PIN结构，有时还制成多层叠层式结构。
非晶硅太阳电池大量生产的大面积产品的转换效率为10%～12%，小面积产品转换效率已提高到14.6%，叠层结构电池的最高效率为21%。
（3）砷化镓（GaAs）太阳电池 GaAs太阳电池多数采用液相外延法或MOCVD技术制备，GaAs太阳电池的效率可高达29.5%，一般在19.5%左右。产品具有耐高温和抗辐射特点，但生产成本较高，产量受限，主要用作空间电源。以硅片为衬底，用MOCVD方法制造GaAs/Si异质结太阳电池是降低成本很有希望的方法，最高效率为23.3%，GaAs叠层结构的太阳电池效率接近40%。
（4）其他化合物半导体太阳电池 这方面主要有CIS（铜钢硒）薄膜、CdTe（碲化镉）薄膜和InP（磷化钢）太阳电池等。这些太阳电池的结构与非晶硅电池相似。但CIS薄膜一般厚度为2～3μm，已达到的转换效率为17.7%。CdTe薄膜很适合于制作太阳电池，其理论转换效率达30%，目前国际先进水平转换效率为15.8%，多用于空间方面。
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