【摘要】：图3-5 基于石英基底的邻边开口方环结构为使读者更好地理解电磁诱导透明现象,图3-6、图3-6和图3-6分别给出了此邻边开口结构在3个谐振频率点0.27 THz、0.31 THz和0.42 THz处的表面电流分布。位于EIT谐振频率0.31 THz处的表面电流由于明模式与暗模式的相干相消,表面电流强度明显减弱,明模式和暗模式均得到抑制,从而在一个宽的吸收带中形成一个窄带的透明窗,进而形成EIT现象。图3-6 邻边开口结构在不同谐振频率处的表面电流分布
图3-5(a)给出了基于石英基底的邻边开口方环结构的俯视图。具体结构参数为:周期L=250μm,外正方形宽L 1=210μm,内正方形宽L 2=150μm,开口宽度w=30μm,开口位置离中心的偏移量d=50μm。金属选取铝,介质为石英,石英对应的相对介电常数和损耗角正切分别为εr=4.41和tanδ=0.000 4。铝和石英的厚度分别取h 1=0.2μm和h 2=261μm。图3-5(b)给出了电磁波垂直入射时,该结构TM极化波、TE极化波的透射曲线。可见两种极化波都出现了EIT现象,并且对应的透射曲线完全重合,从而说明了其具有极化不敏感特性。
图3-5 基于石英基底的邻边开口方环结构(www.xing528.com)
为使读者更好地理解电磁诱导透明现象,图3-6(a)、图3-6(b)和图3-6(c)分别给出了此邻边开口结构在3个谐振频率点0.27 THz、0.31 THz和0.42 THz处的表面电流分布。可见在谐振频率0.27THz处,电流沿逆时针方向形成环形电流,产生类LC谐振,类似于单个开口谐振环的LC谐振,没有形成明显的电偶极矩,只能与入射场形成很弱的耦合,电磁波损耗较少,属于暗模式。在谐振频率0.42 THz处,表面电流形成上下方向对称的偶极电流,电流强度较强,形成电偶谐振,可与入射波形成强耦合,电磁波损耗较大,属于明模式。位于EIT谐振频率0.31 THz处的表面电流由于明模式与暗模式的相干相消,表面电流强度明显减弱,明模式和暗模式均得到抑制,从而在一个宽的吸收带中形成一个窄带的透明窗,进而形成EIT现象。
图3-6 邻边开口结构在不同谐振频率处的表面电流分布
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