各种气体对铜铟镓硒薄膜太阳电池材料的影响

1.非晶硅薄膜太阳电池用气体

硅烷（SiH₄）、乙硅烷（Si₂H₆）。制备n型掺杂材料加入磷烷（PH₃），制备p型掺杂材料加入乙硼烷（B₂H₆）、三甲基硼烷（B（CH₃）3）或三氟化硼（BF₃）。用氢气（H₂）或惰性气体氦气（He）、氩气（Ar）稀释硅烷。锗烷（GeH₄）用于多结电池。

2.微晶硅薄膜太阳电池用气体

所用材料与非晶硅相近，在玻璃衬底上制作背反射层，用等离子CVD沉积一层n型硅，然后用等离子CVD沉积工作层，即本征多晶硅薄膜（硅烷），最后依次沉积p型硅薄膜和氧化铟锡（ITO）薄膜，再在顶上做上梳状栅电极。

3.铜铟镓硒薄膜太阳电池用材料

背接触层钼（Mo）、氩气（Ar），吸收层铜、铟、镓、硒四元素，缓冲层硫化镉（CdS），窗口层氧化锌（ZnO），磁控溅射法精确控制化学计量比，最后盖上超白低铁玻璃。(www.xing528.com)

4.砷化镓薄膜太阳电池用气体

用金属有机化学气相沉积法（MOCVD），通入H₂、三钾基镓（TMGa）、三钾基铝（TMAl）、三钾基铟（TMIn）金属有机化合物气体及砷烷（AsH₃）、磷烷（PH₃）等氢化物，在适当的温度下，这些气体进行多种化学反应，生成GaAs、GaInP、AlInP等Ⅲ-Ⅴ族化合物，并在GaAs衬底或Ge衬底上沉积，实现外延生长。n型掺杂剂用硅烷（SiH₄），p型掺杂剂用二乙基锌（DEZn）或CCl₄。

5.碲化镉薄膜太阳电池用材料

ITO＋SnO₂作透明导电膜；粉末或颗粒CdS；粉末或颗粒CdTe用升华法沉积作为吸收层；硅烷、氨气、四氯化碳、液氧、氮气、氢气。