【摘要】：表5-1 CuInSe2材料的物理性质注：1=0.1nm。晶体结构呈黄铜矿型结构，用少量的Ga部分替代CuInSe2中的In便成了CuInxGa1－xSe2，通过调整Ga的浓度，可以使禁带宽度在1.02～1.68eV之间变化。当薄膜中Ga为零时，禁带宽度为1.02eV；当薄膜中Ga原子含量为100％时，即完全取代了In原子，材料变为CuGaSe2，禁带宽度为1.68eV。Ga的原子半径小于In，因此CIGS晶格常数变小。因此，键强、晶格常数比这两个指标，成为黄铜矿型材料中四方晶格畸变的一个量度。
1）CIGS为直接带隙半导体材料，CIGS材料的结构是以CuInSe2材料结构为基础的。表5-1为CuInSe2材料的物理性质（300K）。
表5-1 CuInSe2材料的物理性质（300K）
注：1Å=0.1nm。(www.xing528.com)
晶体结构呈黄铜矿型结构，用少量的Ga部分替代CuInSe2中的In便成了CuInxGa1－xSe2，通过调整Ga的浓度，可以使禁带宽度在1.02～1.68eV之间变化。当薄膜中Ga为零时，禁带宽度为1.02eV；当薄膜中Ga原子含量为100％时，即完全取代了In原子，材料变为CuGaSe2，禁带宽度为1.68eV。禁带宽度随Ga／（In＋Ga）比值变化，调整到最佳禁带宽度，可以吸收更多的太阳光谱。Ga的原子半径小于In，因此CIGS晶格常数变小。
2）每个Cu、In原子与Se有四个键连接，每个Se原子与Cu、In原子有两个键连接。Cu和In原子的化学性质不同，Ⅰ-Ⅵ（Cu-Se）键长、键强与Ⅲ-Ⅵ（In-Se）键长、键强并不相同，也不严格等于2，以Se原子为中心构成的四面体也不是完全对称的。因此，键强、晶格常数比这两个指标，成为黄铜矿型材料中四方晶格畸变的一个量度。图5-6为CIS黄铜矿型结构。
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