1.晶体
有确定熔点的固体称为晶体，如硅、砷化镓、冰、金属。
2.晶格
所有的晶体都是由原子、离子或分子在三维空间有规则排列而成的，这种对称的、有规则的排列叫做晶体的点阵或晶体格子，简称晶格。
3.单晶
原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则地排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的长程有序的晶体，称为单晶。
4.多晶
多个单晶晶粒组成的晶体，在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同，其周期性与规则性也在此处受到破坏，变成由许多微小单晶颗粒杂乱无章地排列在一起的固体，称为多晶。
5.非晶体
没有确定熔点、加热时在某一温度范围内逐渐软化的固体，称为非晶体。
6.微晶硅
微晶硅是由50nm以下的结晶粒群构成的结晶，是薄膜多晶硅体，一般结晶尺寸为10～50nm，结晶相对率为40％～60％。可以认为它是由结晶硅和非结晶硅组成的，甚至可作为非晶不均质材料来看，也是生产太阳电池的材料。
图3-2 半导体晶体的结构
7.常用半导体晶体的结构种类
常用半导体晶体的结构种类主要有金刚石型、闪锌矿型和纤锌矿型，如图3-2所示。(www.xing528.com)
8.常用半导体材料的晶体生长方向
不论晶体属于何种结构，都不是完全对称的，因此单晶表现出各向异性。单晶材料都是按一定的方向生长的，单晶生长的这种方向直接来自晶格结构。常用半导体材料的晶体生长方向是＜111＞和＜100＞。规定用＜111＞和＜100＞表示晶向，用（111）和（100）表示晶面。
9.晶体缺陷
晶体内的原子是按一定的规律周期性地排列的，如果在晶体中的一些区域，这种排列遭到破坏，称这种破坏为晶体缺陷。晶体缺陷对半导体材料的使用性影响很大，使器件性能劣化直至失效，因此在材料的制备过程中都要尽量排除缺陷或降低其密度。晶体缺陷的控制是材料制备的重要技术之一。
晶体缺陷的分类：
1）点缺陷：如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它们构成的复合体。
2）线缺陷：呈线状排列，如位错就是这种缺陷。
3）面缺陷：呈面状，如晶界、堆垛层错、相界等。
4）体缺陷：如空洞、夹杂物、杂质沉淀物等。
5）微缺陷：几何尺寸在微米级或更小，如点缺陷聚集物、微沉淀物等。
10.位错
当一种固体材料受到外力时就会发生形变，如果外力消失后，形变也随着消失，这种形变称为弹性形变；如果外力消失后，形变不消失，则称为范性形变。位错就是由范性形变造成的。范性形变可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生的线缺陷称为位错。
11.层错
层错是在密排晶面上缺少或多余一层原子而形成的一种面缺陷。层错对器件制备工艺以及成品性能都可以产生较大的影响。在硅外延生长时，如果不采取特殊的措施，生长的外延层中将含有大量的层错，严重破坏晶体的完整性。外延片的层错主要起源于生长外延层的衬底晶体的表面。
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