【摘要】：GaAs属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此是很理想的电池材料。1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳电池的转换效率为24.2％，为欧洲纪录。太阳电池转换效率最新的世界纪录是42.3％，这是2010年10月6日美国Spire半导体公司宣布的最新成果。该公司研发的三结GaAs太阳电池的峰值效率达到了42.3％，聚光条件相当于406个太阳砷化镓。
GaAs属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此是很理想的电池材料。GaAs的转换率一般为25％左右，其主要应用在太空，转换率最高可以达到35％以上，并且具有抗辐射的特性。一般说来，热能对GaAs的影响不大，GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜电池的制备主要采用金属有机化合物化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）法和液相外延（Liquid Phase Epitaxis，LPE）技术，其中MOCVD方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、Ⅲ-Ⅴ比率、总流量等诸多参数的影响。1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳电池的转换效率为24.2％，为欧洲纪录。另外，该研究所还采用堆叠结构制备GaAs、Gasb电池，该电池是将两个独立的电池堆叠在一起，GaAs作为上电池，下电池用的是Gasb，所得到的电池效率达到31.1％。在此之前的世界纪录是波音全资子公司Spectrolab在2009年8月生产出的一款实验电池，聚光条件下转换率达到41.6％。太阳电池转换效率最新的世界纪录是42.3％，这是2010年10月6日美国Spire半导体公司宣布的最新成果。该公司研发的三结GaAs太阳电池的峰值效率达到了42.3％，聚光条件相当于406个太阳砷化镓。(www.xing528.com)
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