铁氧体在去耦合中的应用

倘若在电源总线最靠近一个元器件（如一个IC）部分的阻抗不是足够低的话，噪声电流将会环绕PCB的整个电源总线形成环流。这里还包括有任何连接到一个离板DC电源的导线在内。因此会造成发射的增加。

如在图2-4-8和图2-4-9中所示，是在每个电源插针和它的供电电源之间插入一个铁氧体块以增加的RF阻抗来降低发射。这样做可以使得更多的噪声电流仅局限于去耦电容/元器件相结合的局部区域中。只要去耦电容和IC间电流环路的最长尺度小于一个波长（λ）的1/4，发射就会比没有安装铁氧体块时来得小。在频率为1GHz时，在FR4中的λ/4=37mm。

图2-4-8 用铁氧体去耦合的典型电路图

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图2-4-9 用铁氧体去耦合的一种合适的布局

不论它的体积是多么小，用于这个目的的铁氧体块都应该是RF抑制器件，而不是缠绕在铁氧体心上的电感器。并且，往往有可能选择使用一些特殊类型的铁氧体，使得在所关心的发射（或抗扰度）频率上要比其他类型的抑制效果更为有效。

我们可以把这种铁氧体块-去耦电容的组合看作是一个低通滤波器。通过它的使用可以使来自IC的噪声电流不会进入主电源干线。当使用这个技术时，往往会发现仅有某些IC需要在它们的DC电源线条中使用铁氧体。例如，时钟发生器和时钟缓冲器。也可能会发现由于铁氧体的电阻太高，有些IC无法在它们的电源总线中使用铁氧体（此时应查阅IC制造厂商的应用手册）。

从上面的讨论我们已了解到，倘若按照上述的方法简单地增设一个铁氧体块将会引起从IC所看到的电源总线阻抗的上升。因此，它将经受较高电平的电源噪声（限值波动）。对某些IC来说，它们的运行会由此而出现问题。所以，在使用铁氧体去耦合技术时，可能会要求使用较高电容值或技术指标规定较高的去耦电容。