【摘要】：将电阻率具有随温度升高而增大的规律称作材料具有正温度系数，将电阻率随温度升高而减小称作材料具有负温度系数，定义电阻率由正温度系数转变为负温度系数时的温度为转变温度Tb，低于转变温度时，电阻率随温度上升而增大，高于转变温度时，电阻率随温度上升而减小。
将电阻率具有随温度升高而增大的规律称作材料具有正温度系数，将电阻率随温度升高而减小称作材料具有负温度系数，定义电阻率由正温度系数转变为负温度系数时的温度为转变温度Tb，低于转变温度时，电阻率随温度上升而增大，高于转变温度时，电阻率随温度上升而减小。
例 3.1 已知某双V形半导体桥换能元，桥膜结构的尺寸为l = 26 μm，w = 90.5 μm，θ = 40°，掺杂厚度δ = 2 μm，掺杂浓度ND = 7.7 × 1019个原子/cm3，试计算该换能元的初始电阻及温度为1 600 K和2 000 K时的电阻。
解：（1）由式（3-20）知初始电阻的表达式如下：
将T = 300 K代入式（3-25）和载流子浓度的表达式中，可以得出初始电阻率的表达式如下：
由题意知，掺杂浓度ND = 7.7 × 1019，代入上式(www.xing528.com)
将ρ0，l，w，θ，δ代入初始电阻表达式即可计算初始电阻：
（2） 由式（3-29）知，电阻与温度的关系如下：
由于硅的熔点为1 684 K，汽化点为2 880 K，掺杂浓度为7.7 × 1019时电阻转折温度为Tt = 1 510 K，所以温度为1 600 K时电阻的计算应该用式（3-29）中的第二个表达式，而温度为2 000 K时电阻的计算应该用第三个表达式，故
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
