DNA在电极表面促进CHTCd富集的电化学研究

采用循环伏安和微分脉冲伏安法进一步考察了DNA修饰电极对CHTCd配合物的不同富集作用。在开路条件下用DNA修饰电极对配合物进行充分富集，然后在空白液中进行溶出测定，通过得到的配合物点化学信号考察DNA在电极表面对配合物的富集作用。

当dsDNA修饰玻碳电极（dsDNA/GCE）浸入含3.0×10-5mol/L CHTCd的Tris-HCl溶液中充分反应后取出淋洗，并放入相同缓冲液中在-1.1 V下电解100 s进行循环伏安测定，几乎得不到任何氧化还原信号，其结果如图5.2.13A曲线b所示，表明配合物在dsDNA/GCE上富集的量非常少；而在相同的实验条件和处理步骤下，ssDNA/GCE上能得到一对与裸电极上极为相似的对应于配合物中Cd元素的氧化还原峰（图5.2.13A曲线a），表明修饰电极上的ssDNA对CHTCd产生了明显的富集作用，而且经过淋洗等过程仍能吸附于ssDNA/GCE表面。

图5.2.13B为经过相同处理过程通过DPV方法进行检测的结果，在ssDNA/GCE上-0.79 V处能得到一个明显的氧化峰（图5.2.13B曲线a），而在dsDNA/GCE上得到的曲线虽有所弯曲，但其峰形和灵敏度均远远差于ssDNA/GCE上得到的电化学信号（图5.2.13B曲线b），该结果与循环伏安法测定的结果一致。(www.xing528.com)

图5.2.13　CHTCd在ssDNA/GCE（a）和dsDNA/GCE（b）上的循环伏安图（A）和微分脉冲伏安图（B）

这种在ssDNA/GCE和dsDNA/GCE上得到的显著电化学差异表明CHTCd配合物能够作为一种有效的ssDNA和dsDNA电化学识别探针并且应用于DNA传感技术中。我们将其作为一种电化学杂交指示剂应用于了转基因植物产品CaMV35S的电化学检测。