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二极管的结构原理及导通特性测试方法

时间:2023-06-22 理论教育 版权反馈
【摘要】:典型的硅二极管的结构原理及特性如图2-29所示。一般二极管在反向击穿后将因反向电流过大而损坏。两种万用表的测试方法都是在先测试二极管正向导通电压前提下,再对照测试反向截止特性。现在,按二极管导通电压特性,用万用表LV刻度来确认PN结好坏并区分半导体材料。为确保二极管安全使用所允许施加的最大反向电压。

二极管的结构原理及导通特性测试方法

1.二极管的结构和种类

二极管是由一个PN结加上电极引线与外壳制成。由P区引出的电极称为正极或阳极,由N区引出的电极称为负极或阴极。二极管是电子电路中的基本半导体器件。

二极管的种类很多:按材料分为硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等;按结构分,有点接触型二极管和面接触型二极管;按用途分,有整流二极管、检波二极管、变容二极管稳压二极管开关二极管发光二极管、光敏二极管等。常见二极管的外形如图2-27所示。

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图2-27 常见二极管的外形

普通二极管的文字符号用字母“VD”或“D”表示,常用二极管的结构与图形符号如图2-28所示。

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图2-28 二极管的结构与图形符号

a)二极管的结构 b)图形符号

2.二极管的基本特性

二极管的基本特性是具有单向导电性,即当二极管所加的正向电压超过死区电压时(一般来说硅二极管的死区电压约为0.5V,锗二极管的死区电压约为0.1V),二极管导通;当二极管加反向电压时,二极管截止。

典型的硅二极管的结构原理及特性如图2-29所示。

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图2-29 二极管的结构原理及特性

a)PN结 b)正向加电 c)反向加电 d)二极管特性曲线 e)锗、硅二极管的正向特性

图2-29a为PN结的耗尽层。

图2-29b为PN结正向加电,耗尽层变薄,二极管导通。

图2-29c为PN结反向加电,耗尽层变厚,为截止状态,反向电流很小,而且在一定范围内,反向电流基本恒定,与反向电压的高低无关,此电流称为反向饱和电流。

图2-29d为二极管总的伏安特性曲线,当反向电压超过某一值时,反向电流将突然增大,二极管失去了单向导电性,这种现象称为反向击穿,此时的反向电压称为反向击穿电压。一般二极管在反向击穿后将因反向电流过大而损坏。二极管正向电压很低时并不导通,称为死区电压,二极管的正向电压超过死区电压后,正向电流增长很快,而电压的变化极小,此电压称为导通电压。

图2-29e为锗、硅两种材料的二极管的死区电压(硅二极管约为0.5V,锗二极管约为0.1V)和导通电压(硅二极管约为0.6~0.7V,锗二极管约为0.2~0.3V)。

3.二极管的主要参数

(1)最大整流电流IFM。最大整流电流是指二极管长时间使用时,允许流过的最大正向平均电流。使用时通过二极管的平均电流要小于这个电流,否则,电流过大,PN结过热而使二极管烧坏。点接触型二极管的最大整流电流在几十毫安以下,而专门为整流电路设计整流二极管的最大整流电流可达几安。(www.xing528.com)

(2)最高反向工作电压URM。为确保二极管安全使用所允许施加的最大反向电压。一般给出的最高反向工作电压为击穿电压的1/2~2/3。点接触型二极管的最高反向工作电压一般为数十伏,面接触型二极管的最高反向工作电压可达数百伏。

(3)反向饱和电流IR。当二极管加最高反向工作电压时的反向电流。此值越小,说明二极管的单向导电性越好。

4.二极管检测

电子技术人员常用手中的万用表检测二极管,用指针式和数字式万用表测试二极管的方法如图2-30所示。

两种万用表的测试方法都是在先测试二极管正向导通电压前提下,再对照测试反向截止特性。

过去曾从电阻特性角度,把二极管的单向导电性误说成正向电阻越小越好。现在,按二极管导通电压特性,用万用表LV刻度来确认PN结好坏并区分半导体材料。

对于没有LV、LI两个刻度的旧式万用表,可用直流刻度代替电阻挡的LV、LI辅助刻度,计算原理如图2-31所示。

测量直流电压、电流的刻度为等分的50小格,以左端为0,指针向右偏转的格数n代表LI;以右端为0,向左到指针偏转的位置,即剩余的格数50-n代表LV。这样就可以利用直流刻度读取PN结的正向导通压降。

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图2-30 二极管的检测

a)用指针式万用表正向检测 b)用指针式万用表反向检测

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图2-30 二极管的检测(续)

c)数字式万用表检测

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图2-31 电阻挡的LV、LI辅助刻度原理

电阻刻度与直流分度的关系

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是指针式万用表上的欧姆定律

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