源漏寄生电阻对HEMT器件性能的影响

源漏寄生电阻影响到器件的直流和频率特性。欧姆接触电阻和导通电阻是源漏寄生电阻的重要组成部分。器件做成短沟道器件，形成欧姆接触的区域减小这些方法都可以使得器件导通电阻降低。而形成良好的欧姆接触就降低了欧姆接触电阻，这样就使源漏寄生电阻降低，提高器件性能。如图5.2所示，来分析HEMT 器件的源漏寄生电阻对器件特性的影响。

图5.2　有寄生源漏电阻的HEMT 器件示意图

器件源端和漏端寄生电阻分别记为RS和RD，gm记为器件的有效跨导，gd为器件有效输出电导，本征栅源电压记为VGSi，VDSi是本征漏源电压，本征电导记为gdi，gmi记为器件本征跨导，由图5.2可得：

总偏置和本征部分偏置之间的关系为：

当VDS为常数时，满足：

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当固定VDS值时，把式5-4，5-5代入式5-1中，可以得到：

同时有：

器件的有效跨导gm是可以直接测试出来，而本征跨导是测不出来，那么可以由测试出的有效跨导可以计算出本征跨导的值，这对于器件的制造和建立模型都有重要的意义，由式5-7得到：

当VGS为常数时，VDS值变化，把公式5-9，5-10代入5-1中可得到：

从公式5-11和5-12可得出源漏寄生电阻如果变大，则都会使得输出跨导和输出电导减小。而器件的频率特性直接由跨导来决定，所以想要提高器件的频率特性则要尽量减小优化源漏的寄生电阻。同时器件的增益与输出电导有直接的关系。此外寄生电阻也直接影响到高频噪声。由此可以看到减小优化HEMT 器件的源端和漏端的寄生电阻非常重要。而形成低阻值良好的欧姆接触，这样就使源漏寄生电阻降低。本节就重点讨论如何形成低阻值的欧姆接触。