现代漏磁：缺陷磁泄漏过程详解

针对现有漏磁检测原理的“磁通在缺陷处发生泄漏”的简单解释，本节开始探讨分析这“发生”到底是如何进行的，即缺陷磁泄漏的过程与机制，为此，提出漏磁场产生的三步式过程：缺陷磁折射、缺陷磁扩散和缺陷磁压缩。由于铁磁性材料（铁磁体）具有磁导率高的特性，它们被磁化后在体内可聚集高密度的磁感应场，如图2-3a所示；当铁磁体与空气相接触的交界面处出现不连续即缺陷时，由于磁的边界条件首先引发磁折射，铁磁体内的磁场由磁折射作用折射偏转到缺陷附近的空气中，并很快形成磁扩散，如图2-3b所示。但由于缺陷附近空气区域中有较强背景磁场的存在，扩散场磁力线在该背景磁场的反向阻碍作用下发生反向挤压变形，最终导致发生磁扩散的同时又发生反向磁压缩，如图2-3c所示。

图2-3 缺陷磁泄漏过程

a）高磁导率的磁介质体内磁场 b）磁折射及磁扩散 c）磁压缩

铁磁性材料内磁通经过上述磁折射、磁扩散及反向磁压缩过程后，形成最终缺陷漏磁场。可进一步将缺陷漏磁场B_mfl的形成机制用数学公式描述为(www.xing528.com)

B_mfl=B_r+B_d-B_c （2-18）

式中，B_r为缺陷处磁折射作用引起的磁感应强度；B_d为缺陷处磁扩散作用引起的磁感应强度；B_c为缺陷处磁压缩作用引起的磁感应强度。

式（2-18）中，B_d是紧随B_r的，它们对缺陷磁泄漏起促进作用；B_c是在磁扩散作用的反作用原理基础上所导致的，它对缺陷磁泄漏起着阻碍作用，使缺陷的磁泄漏减弱。