银金属层的主要作用是提高辅助电极的导电性，并有助于芯片安装时对准观察。银层采用电子束蒸发来制备，镀制时需要注意工艺参数的设计，使制备的银层厚度均匀，无断层和筛孔，与ITO层的附着良好。
（1）镀膜设备：以北京仪器厂生产的DM－450型镀膜机（见图6.8）为例，该镀膜机主要由真空镀膜室和真空抽气系统组成，镀膜室内的主要工作装置有电子枪、坩埚、电阻加热蒸发器、挡板转动装置、考夫曼型离子源、膜厚仪检测探头、旋转基片架、测温热电偶、加热器等，所有装置都置于可升降的不锈钢钟罩内；真空抽气系统主要由扩散泵、机械泵、高真空阀、低真空阀和充气阀等组成。
图6.8 DM－450型镀膜机
（2）膜料选取：选用纯度99.999%的银作蒸发膜料，银的熔点是962℃，沸点是2 213℃。
（3）基片材料：预先制备好的ITO玻璃基片。
（4）膜厚监控：采用FTM－IIIB型膜厚仪实时监控镀制膜层的厚度及沉积速率，其利用石英晶体振荡片的固有振动频率随其质量的变化而变化的原理制成。通过检测石英晶片的振动频率变化，计算得出其质量的变化，而质量的变化全部来自晶片表面沉积了与基片表面相同性质薄膜。缺点是这种方式监测出的始终是晶片表面的膜厚，为了使其与基片上的膜厚尽可能一致，应使石英晶片的位置尽量靠近基片，且方向也尽量相同。如果晶片的位置发生了改变，膜厚仪的设置也应作相应的调整。
（5）加热及测温设备：加热器在钟罩顶部，由铁铬铝合金电炉丝构成。测温设备采用置于基片附近的热电偶，用毫伏表测量产生的热动势，经过校正即可得到对应的温度示数。同时附加温控装置，通过其对加热器电路中的继电器通断控制，使温度稳定在设定的水平。
（6）基片装夹：ITO玻璃基片由专用夹具固定在可旋转基片架上，以得到均匀的膜厚。
（7）真空测量：用热电偶真空管测量低真空，定温式热偶真空计型号为ZDO－3型；用电离真空管测量高真空，高真空计型号为ZDK－I型。(www.xing528.com)
（8）薄膜的蒸镀：温度达到预设温度后，待本底真空达到合适的范围，即可打开电子枪，预热2 min后开启高压，产生电子束对坩埚中的膜材进行加热，控制电子束流不断增大，使金属先熔化然后进入白炽状态，待膜材表面的氧化物被蒸发完毕后，进一步增大束流，打开蒸发挡板，开始蒸镀。通过束流大小控制蒸发源的蒸发速率，并通过膜厚仪检测蒸镀金属的沉积速率，待膜厚达到指定厚度后，关闭电子枪、挡板及加热器，让基片自然冷却。完成后撤除真空，取出镀片收入防尘盒中。
（9）真空的获得及基片加热：装基片→关钟罩→开机械泵→开低阀，开低真空计→至3 Pa时，关低阀，关低真空计，开扩散泵→开高阀→加热衬底→达到预定温度，开高真空计，真空度达到3×10－3Pa时，开始蒸镀。
为了得到膜厚均匀、质量好、附着力高的银层，针对镀膜厚度、基片加热温度、薄膜沉积速率三个因素设计实验，获得最佳工艺参数。镀制完成的薄膜样品用去离子水超声清洗5 min，检验薄膜的质量。实验方案及检验结果如表6.1所示。
表6.1 电子束蒸发镀银实验方案
实验结果表明，蒸镀银时的薄膜厚度、基片加热温度、薄膜沉积速率对最终的成膜质量都有影响，其中沉积速率对薄膜质量的影响最大，若沉积速率过快，薄膜与ITO层结合很差，非常容易脱落，必须采用比较低的沉积速率。基片温度对成膜质量的影响主要体现在温度升高能够提高薄膜的附着力。薄膜厚度对薄膜质量也有影响，厚度越薄，薄膜的附着力越好。银层的最主要功能是导电，如果太薄则达不到设计的目的。
实验也表明，采用一般的方式在ITO上镀制银膜的效果还不是很理想。为了提高银膜的附着力，在正式开始蒸镀以前用离子源对ITO玻璃基片进行短时间的离子束清洗，一方面清洁了ITO膜表面，另一方面提高了镀膜面的活性，有助于提高金属银与ITO层的附着力。
（10）离子束辅助清洗：是将气体分子电离后，在加速电场的作用下轰击基片表面，清除基片表面的残余杂质，并且清除掉基片表面的钝化层，提高界面活性。当真空度达到3×10－3Pa后，打开KFM－12型离子源电源，通入工作气体Ar气，通过MT－50型流量计控制气体流量为2.2 sccm，真空度优于2×10－2Pa，待气流及真空度稳定后，启动离子源，设定屏压300 V，束流30 mA，对基片进行离子束清洗，5 min后关闭离子源，进行薄膜的蒸镀。
实验中增加离子束辅助清洗的环节，并重复5号实验，经检验，薄膜质量良好，去离子水超声清洗5 min后无银层脱落，无明显筛孔，用四探针方阻仪测得银膜各处的方阻均为160 mΩ／□左右，可见膜厚均匀，且导电性比ITO薄膜的60Ω／□提高了300余倍，能够满足辅助电极对导电性的要求。依照此方案制备镀有200 nm厚银层的ITO玻璃基板待用。
需要说明的是，由于镀的银薄膜在后续光刻胶的去除操作中容易剥离，特别是光栅区域去掉银后与芯片引脚连接处的银线很细，极容易将银线漂浮起来并短接在一起，影响芯片的正常电压。因此，在做完银膜方案后，改用镀铬就很好地解决了薄膜脱落的问题。
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