电力电子技术中符号的含义说明

A——安培；安培表；晶闸管阳极

α——调制度

a，b，c——三相电源

b——晶体管基极

BUcbo——晶体管发射极开路时集电极和基极间反向击穿电压

BUceo——晶体管基极开路时集电极和发射极间击穿电压

BUcer——晶体管发射极和基极间接电阻时集电极和发射极间击穿电压

BUces——晶体管发射极和基极短路时集电极和发射极间击穿电压

BUcex——晶体管发射结反向偏置时集电极和发射极间击穿电压

C——电容器；电容量

C——IGBT集电极

c——晶体管集电极

Cin——MOSFET输入电容

Ciss——MOSFET源漏短路时的输入电容

Coss——MOSFET共源极输出电容

Crss——MOSFET反向转移电容

D——MOSFET漏极

D——畸变功率；导通占空比

di/dt——晶闸管通态电流临界上升率

du/dt——晶闸管断态电压临界上升率

E——IGBT发射极

E——直流电源电动势

e——晶闸管发射极

eL——电感的自感电动势

EM——电动机反电动势

F——电容量的单位（法）

f ——频率

G——发电机；MOSFET栅极；晶闸管门极；GTO门极；IGBT栅极

Gfs——MOSFET跨导

hFE——晶闸管直流电流增益

HRIn——n次谐波电流含有率

I——整流后负载电流的有效值

I1——变压器一次侧相电流有效值

i1——变压器一次侧相电流瞬时值

I2——变压器二次侧相电流有效值

i2——变压器二次侧相电流瞬时值

IATO——GTO最大可关断阳极电流

ib——晶体管基极电流

ie——晶体管集电极电流

Ic——IGBT集电极电流

Iceo——晶体管集电极与发射极间漏电流

IcM——晶体管集电极最大允许电流

Ics——晶体管集电极饱和电流

IVD——流过整流管的电流有效值

ID——MOSFET漏极直流电流

Id——整流电路的直流输出电流平均值

iVD——流过整流管的电流瞬时值

id——整流电路的直流输出电流平均值

IdVD——流过整流管的平均电流

IDM——MOSFET漏极电流幅值

IDR——流过续流二极管的电流有效值

iDR——流过续流二极管的电流瞬时值

IdVT——流过晶闸管的平均电流

ie——晶体管发射极电流

IF（AV）——电力二极管的正向平均电流

IFSM——电力二极管的浪涌电流

IG——晶闸管、GTO的门极电流

IH——晶闸管的维持电流

IL——晶闸管的擎住电流

I′n——变压器一次侧线电流中的n次谐波有效值

io——输出电流；负载电流

Io——负载电流有效值

iP——两组整流桥之间的环流（平衡电流）

IR——整流后输出电流中谐波电流有效值

IVT——流过晶闸管的电流有效值

iVT——流过晶闸管的电流瞬时值

IVT（AV）——晶闸管的通态平均电流

IVTSM——晶闸管的浪涌电流

i*——指令电流

K——晶闸管的阴极

K——常数

L——电感；电感量；电抗器符号

LB——从二次侧计算时变压器漏感

LP——平衡电抗器

M——电动机

M——变压比；调制比

m——相数；一个周期的脉波数

ma——幅值调制比

mf——频率调制比

n——电动机转速

nN——电动机额定转速

N——线圈匝数；载波比

N——负（组）；三相电源中点

P——有功功率、功率

P——正（组）

p——极对数

PCM——IGBT集电极最大耗散功率

PcM——晶体管集电极最大耗散功率

Pd——整流电路输出直流功率

PG——直流发电机功率

PM——直流电动机反电动势功率

PR——电阻上消耗的功率

PSB——晶闸管二次击穿功率

Q——无功功率

R——电阻器；电阻

RB——从变压器二次侧计算的变压器等效电阻(www.xing528.com)

RM——直流电动机电枢电阻

S——视在功率

S——MOSFET源极；功率开关器件

s——秒

Sr——电力二极管的恢复时间

t——时间

td——晶体管、GTO开通时的延迟时间；电力二极管关断延迟时间

td（on）——MOSFET、IGBT开通时的延迟时间

td（off）——MOSFET、IGBT关断时的延迟时间

tf——电力半导体关断时的下降时间

tfi——MOSFET、IGBT等器件关断时的电流下降时间

tfv——MOSFET、IGBT等器件开通时的电压下降时间

tgr——晶闸管正向阻断恢复时间

tgt——晶闸管的开通时间

THDi——电流谐波总畸变率

TJM——电力二极管、晶体管的最高工作结温

toff——晶体管、GTO、MOSFET、IGBT的关断时间

ton——晶体管、GTO、MOSFET、IGBT的开通时间

tq——晶闸管的关断时间

tr——电力半导体器件开通时的上升时间

tri——MOSFET、IGBT等器件开通时的电流上升时间

trv——MOSFET、IGBT等器件关断时的电压上升时间

trr——电力二极管反向恢复时间；晶闸管反向阻断恢复时间

ts——晶体管、GTO关断时的存储时间

tt——GTO关断时的尾部时间

tδ——并联谐振逆变电路触发引前时间

U、V、W——逆变器输出端

U——整流电路负载电压有效值

U1——变压器一次侧相电压有效值

u1——变压器一次侧相电压瞬时值

U1L——变压器一次侧线电压有效值

U2——变压器二次侧相电压有效值

U2L——变压器二次侧线电压有效值

uc——载波电压

Uces——晶体管饱和时集电极和发射极间的管压降

UCES——IGBT最大集射极间电压

uco——控制电压

Ud——整流电路输出电压平均值；逆变电路的直流侧电压

uVD——整流管两端电压瞬时值

ud——整流电路输出电压瞬时值

uDR——续流二极管两端电压瞬时值

UDRM——晶闸管的断态重复峰值电压

UDS——MOSFET漏极与源极间电压

Udα——延迟角为α 时整流电压平均值

Udβ——延迟角为β 时整流电压平均值

UF——电力二极管的正向电压

UFP——电力二极管的正向电压过冲

ug——晶闸管门极电压瞬时值

uGE——IGBT栅极与发射极间电压

uGE（th）——IGBT开启电压

UGS——MOSFET栅极与源极间电压

Ui——斩波电路输入电压

uk——整流变压器的阻抗电压

uL——电抗器两端电压瞬时值

Un——整流电路输出电压中的n次谐波有效值

Unm——整流电路输出电压中的n次谐波电压最大值

Uo——斩波电路输出电压

uo——负载电压

ur——信号波电压

uP——峰值电压

UR——整流电路输出电压中谐波电压有效值

URP——电力二极管的反向电压过冲

URRM——电力二极管、晶闸管的反向重复峰值电压

us——同步电压

UT——MOSFET的开启电压

UTO——电力二极管的门槛电压

UTM——晶闸管通态（峰值）电压

UUN——逆变电路负载U相相电压有效值

UUV——逆变电路负载U相与V相间线电压有效值

V——晶体管；IGBT；电力MOSFET

VD——整流管

VDR——续流二极管

VS——硅稳压管

VT——晶闸管；GTO

X——电抗器的电抗值

XB——从二次侧计算时的变压器漏抗

XP——平衡电抗器的电抗

Z——复数阻抗

Z1——基波阻抗

Zn——n次谐波的阻抗

α ——晶闸管的触发延迟角；晶体管共基极电流放大系数；用于斩波电路表示器件导通占空比；导通比

β ——晶闸管的逆变控制角；晶体管电流放大系数

βmin——最小逆变角

βoff ——GTO电流关断增益

δ ——晶闸管的停止导电角；并联谐振逆变电路触发引前角；波形畸变率

γ ——换相重叠角；纹波因数；输出电压比

θ ——晶闸管的导通角

φ ——位移因数；相位滞后角；负载阻抗角

ω ——角频率

ωc——载波角频率

ωr——信号波角频率

ν——基波因数

λ ——功率因数

Φ ——磁通

σ ——三角化率