常见场效应晶体管的类型和外形

1.小功率场效应晶体管

小功率场效应晶体管具有输入阻抗极高、驱动电流小、噪声低等特点，适用于前置电压放大电路、阻抗变换电路、振荡电路及高速开关电路。常见小功率场效应晶体管的外形如图2-32所示。

2.双栅场效应晶体管

双栅场效应晶体管有一个源极、一个漏极和两个栅极，其中两个栅极是相互独立的，它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。双栅场效应晶体管的外形如图2-33所示。

图2-32 常见小功率场效应晶体管的外形

图2-33 双栅场效应晶体管的外形

3.片状场效应晶体管(www.xing528.com)

片状场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低动态范围大、交叉调制失真小等特点。其又分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）。其中，JFET主要用于小信号场合，MOSFET既用于小信号场合，也用于功率放大或驱动的场合。

片状场效应晶体管的外形及管脚排列如图2-34所示。

由图2-34可见，场效应晶体管的外形与晶体管十分相似，应注意区分。场效应晶体管G、S、D极分别相当于晶体管的B、E、C极。

图2-34 片状场效应晶体管的外形及管脚排列

（1）片状JFET 片状JFET在VHF/UHF射频放大器应用的有MMBFJ309IJ1（N沟道，型号代码为6U），用于通用的小信号放大的有MMBF54、S7LT1（N沟道，型号代码为M6E）等。它们常用作阻抗变换或前置放大器等。

（2）片状MOSFET 片状MOSFET的最大特点是具有优良的开关特性，其导通电阻很低，一般为零点几欧姆到几欧姆，小的仅为几毫欧到几十毫欧。所以其管耗较小，小尺寸的片状器件却有较大的功率输出。目前应用较广的是功率MOSFET，常用作驱动器、DC/DC变换器、伺服/步进电动机控制、功率负载开关、固态继电器和充电器控制等。