晶体管主要参数及其影响

晶体管的主要参数反映了晶体管各种性能指标，它们是分析晶体管电路和选用晶体管的依据。

1.共发射极电流放大系数

（1）共发射极直流电流放大系数 它表示晶体管在共射极连接时，某工作点处直流电流I_C与I_B的比值，用表示。

（2）共发射极交流电流放大系数β 它表示晶体管共射极连接且U_CE恒定时，集电极电流变化量ΔI_C与基极电流变化量ΔI_B之比，即

图2-22 晶体管的内部结构

管子的β值太小时，其放大作用较差；β值太大时，其工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。

β值的标志方法有两种：色标法和字母法。色标法使用得较早，通常将颜色涂在晶体管的顶部，用不同颜色来表示管子β值的大小。国产小功率晶体管的色标颜色与β值的对应关系见表2-3。

表2-3 国产小功率晶体管的色标颜色与β值的对应关系

2.共基极电流放大系数

共基极交流电流放大系数α，它表示晶体管作共基极连接时，在U_CB恒定的情况下，I_C和I_E的变化量之比，即(www.xing528.com)

3.极间反向电流

（1）集-基反向饱和电流I_CBOI_CBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下I_CBO是一个常量。随着温度的升高I_CBO将增大，它是晶体管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的I_CBO比锗管的I_CBO小得多。

（2）穿透电流I_CEOI_CEO是指基极开路，集电极与发射极之间加上一定的反向电压时的集电极电流。该电流好像从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。I_CEO和I_CBO一样，也是衡量晶体管热稳定性的重要参数。

4.频率参数

频率参数是反映晶体管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征晶体管的频率适用范围。

（1）共射极截止频率f_β 晶体管的β值是频率的函数，中频段β=β₀几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段β₀的1/2时，所对应的频率称为共射极截止频率，用f_β表示。

（2）特征频率f_T 当晶体管的β值下降到β=1时所对应的频率称为特征频率。在f_β～f_T的范围内，β值与f几乎呈线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞f_T时，晶体管便失去了放大能力。

5.极限参数

（1）最大允许集电极耗散功率P_CMP_CM是指晶体管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗P_c＞P_CM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。

（2）最大允许集电极电流I_CM 当I_C很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2/3（或1/2）时所对应的集电极电流为I_CM，当I_C＞I_CM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。

（3）反向击穿电压BU_CEO与BU_CBOBU_CEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。BU_CBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。