AM29LV800B-70ns是美国AMD公司的512K×16bit（或1M×8bit）FLASH存储器，其工作电压为3.3V，擦写寿命至少1000000次，访问时间为70ns。用户只需向其特定地址写入特定的指令序列，通过这些指令，用户即可启动内部写状态机，使其自动完成指令序列要求的内部操作。这些指令序列包括：复位、整片擦除、块擦除、扇区擦除、操作字写入等。
特别注意的是，由于除了擦除命令可使全部FLASH存储内容复位为1（所有“0”变为“1”）外，编程指令不能使FLASH存储的“0”变为“1”，只能使“1”变为“0”，所以正确的顺序应该是先擦除，后写入。
原则上讲，向FLASH存储器的特定寄存器写入地址和数据命令，就可对FLASH存储器编程，但实现上必须要按照一定的格式顺序操作，下面以写指令为例描述写入数据命令序列的实现。
通过写指令完成对FLASH写入数据的操作。完整的过程需要4个总线周期，其中前两个是解锁周期，第三个是建立编程命令，最后一个周期完成向编程地址中写入数据，见表7-2。
表7-2 写入数据命令操作过程
实现流程如图7-16所示。
图7-16 FLASH烧写命令流程
不同指令有不同的命令序列，见表7-3。
表7-3 AM29LV800B常用命令序列(www.xing528.com)
（续）
注：表中的参数说明如下：
X：为任意值。
RA：准备读取的地址单元。
RD：RA中的内容。
PA：准备编程的地址单元，地址值在最后一个WE信号或CE信号的下降沿被锁存。
PD：准备编程到PA中的数据，数据值在最先一个WE信号或CE信号的上升沿被锁存。
SA：需要校验或擦除的扇区地址，高位地址线A12～A18决定了唯一的扇区号。
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