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TMS320C54x的主要特性简介

时间:2023-06-20 理论教育 版权反馈
【摘要】:TMS320C54x都包含有片内DARAM。TMS320C54x片内的DARAM分成若干块,由于在每个机器周期内,允许对同一DARAM块访问2次,因此CPU可以在一个机器周期内对同一DARAM块读出1次和写入1次。部分TMS320C54x包含片内SARAM,如C549、VC5402、VC5409、VC5410和VC5416等。10)数据总线具有总线保持特性。TMS320C54x各种型号的DSP器件都具有相同的CPU结构和指令系统,但每一种器件其片内存储器的配置和片内外设则不尽相同。为了便于读者查阅,表3-1列出了当前较常用的全部TMS320C54x系列产品的主要性能。

TMS320C54x的主要特性简介

1.CPU部分

1)先进的多总线结构(1条程序总线、3条数据总线和4条对应的地址总线)。

2)40位算术逻辑运算单元(ALU),包括1个40位桶形移位寄存器和2个独立的40位累加器

3)17位×17位并行乘法器与40位专用加法器相连,用于非流水线式单周期乘法/累加(MAC)运算。

4)比较、选择、存储单元(CSSU),用于加法、比较、选择运算。

5)指数编码器,是一个支持单周期指令EXP的专用硬件,可以在单个周期内计算40位累加器中数值的指数。

6)双地址生成器,包括8个辅助寄存器和2个辅助寄存器算术运算单元(ARAU)。

2.存储器

1)16位192K字的可寻址存储空间(64K字的程序存储空间、64K字的数据存储空间和64K字的I/O空间),此外,C549、VC5402、VC5409、VC5410和VC5416等带有扩展程序存储器,程序存储空间最大可扩展至8M字。

2)片内ROM,可配置为程序存储器和数据存储器。

3)片内RAM有两种类型,即片内双访问RAM(DARAM)和片内单访问RAM(SARAM)。

TMS320C54x都包含有片内DARAM。TMS320C54x片内的DARAM分成若干块,由于在每个机器周期内,允许对同一DARAM块访问2次,因此CPU可以在一个机器周期内对同一DARAM块读出1次和写入1次。一般情况下,DARAM总是映射到数据存储器空间,主要用于存放数据。但是,它也可以映射到程序存储器空间,用来存放程序代码。部分TMS320C54x包含片内SARAM,如C549、VC5402、VC5409、VC5410和VC5416等。

3.片内外设

1)软件可编程等待状态发生器。

2)可编程分区切换逻辑电路。

3)带有内部振荡器或用外部时钟源的片内锁相环时钟发生器。

4)支持全双工操作的串行口,可进行8位或16位串行通信

5)片内的串行口根据型号不同可分为4种:单通道同步串行口(SP)、带缓冲器单通道同步串行口(BSP)、并行带缓冲器多通道同步串行口(McBSP)、时分多通道带缓冲器串行口(TMD)。处理器不同串行口配置也不尽相同。

6)可与主机直接连接的8位或16位并行主机接口(HPI)。

7)16位可编程定时器

8)6通道直接存储器访问(DMA)控制器。

9)外部总线关断控制,以断开外部的数据总线、地址总线和控制信号。(www.xing528.com)

10)数据总线具有总线保持特性。

4.指令系统

1)单指令重复和块指令重复操作指令。

2)用于程序和数据管理的块存储器传送指令。

3)32位长操作数指令。

4)同时读入2个或3个操作数的指令。

5)可以并行存储和并行加载的算术指令。

6)条件存储指令。

7)从中断快速返回指令。

5.电源

1)具有多种节电模式,可用IDLE1、IDLE2和IDLE3指令来控制处理器功耗,使CPU工作在省电方式。

2)可控制关断时钟输出信号CLKOUT。

6.片内仿真接口

具有符合IEEE1149.1标准的片内仿真接口(JTAG),可与主机相连,用于系统处理器的开发与应用。

7.速度

单周期定点指令的执行时间为25/20/12.5/10/8.3/7.5/6.25ns,相应的CPU运行速度为40/50/80/100/120/133/160MIPS。

TMS320C54x各种型号的DSP器件都具有相同的CPU结构和指令系统,但每一种器件其片内存储器的配置和片内外设则不尽相同。为了便于读者查阅,表3-1列出了当前较常用的全部TMS320C54x系列产品的主要性能。

表3-1 TMS320C54x系列产品的主要性能

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(续)

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