早期制造的PROM存储单元是利用其内部熔丝是否被烧断来写入数据的，因此只能写入一次，使其应用受到很大限制。目前使用的光可擦除可编程的EPROM 只需将此器件置于紫外线下，即可擦除，因此可多次写入。EPROM 的存储单元是在MOS管中置入浮置栅的方法实现的，如图8.11所示。
图8.11 浮置栅MOS管结构和EPROM存储单元
（a）浮置栅MOS管的结构；（b）EPROM存储单元(www.xing528.com)
图8.11 （a）是浮置栅PMOS管的结构图，图8.11 （b）是其存储单元。浮置栅被包围在绝缘的二氧化硅中。写入时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压（-30V～-45V），将PN结击穿，雪崩击穿产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。脉冲电压消失后，浮置栅中的电子无放电回路而被保留下来。带电荷的浮置栅使浮置栅MOS管的源漏之间导通，当字线选中该存储单元时，位线为低电平；若浮置栅中无电荷，浮置栅MOS管截止，位线为高电平。
当用户需要改写存储单元的内容时，要先用紫外灯光线照射石英盖板下集成芯片中的FAMOS管，在光的作用下，浮置栅上注入的电荷就会形成光电流而泄漏掉，PROM可恢复原来未写入时的状态，因此又可重新写入新信息。PROM重新写入数据后，带电荷的浮置栅使PMOS管的源极和漏极之间导通，当字线选中某一存储单元时，该单元位线即为低电平；若浮置栅中无电荷（未写入）新信息时，浮置栅PMOS管截止，位线为高电平。
利用光照抹掉写入内容需要大约30min，时间较长。为了缩短抹去时间，人们还研制出了电可擦除可编程方式的E2PROM。电可擦除可编程的E2PROM速度一般为毫秒数量级，其擦除过程就是改写的过程，改写以字为单位进行。E2PROM 不但在掉电时不丢失数据，又可随时改写写入的数据，重复擦除和改写的次数高达1万次以上。E2PROM 既具有ROM 的非易失性，又具备类似RAM 的功能，可以随时改写。目前，大多数E2PROM的可编程逻辑器件集成芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读操作、写操作和擦除操作，为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。
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