【摘要】：场效应管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种类型，各类又有N沟道和P沟道之分。图1.24场效应管基本结构及其符号N沟道MOS管结构示意图；N沟道增强型符号；N沟道耗尽型符号由于场效应管的栅极和其他电极之间相互绝缘，因此称其为绝缘栅场效应管。绝缘栅场效应管采用了金属铝作为引出电极，以二氧化硅 作为其绝缘介质，这样的半导体器件习惯上简称为MOS 管。
场效应管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种类型，各类又有N沟道和P沟道之分。图1.24 （a）所示为N沟道增强型场效应管结构示意图，它以一块掺杂浓度较低，电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，并在其表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，再将二氧化硅绝缘层刻出两个窗口，通过扩散工艺在P型硅中形成两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝向外引出两个电极，分别称为漏极D和源极S，然后在半导体表面漏极和源极之间的绝缘层上制作一层金属铝，由此向外引出的电极称为栅极G，最后在衬底上引出一个电极B作为衬底引线，这样就构成了N沟道增强型的场效应管。
图1.24 场效应管基本结构及其符号(www.xing528.com)
（a）N沟道MOS管结构示意图；（b）N沟道增强型符号；（c）N沟道耗尽型符号
由于场效应管的栅极和其他电极之间相互绝缘，因此称其为绝缘栅场效应管。绝缘栅场效应管采用了金属铝（Metal）作为引出电极，以二氧化硅 （Oxide）作为其绝缘介质，这样的半导体（Semiconductor）器件习惯上简称为MOS 管。
N沟道增强型MOS管的电路符号如图1.24 （b）所示，N沟道耗尽型场效应管的电路符号如图1.24 （c）所示。观察电路图符号可看出：增强型MOS管衬底箭头相连的是虚线，耗尽型衬底箭头相连的是实线；衬底箭头指向向里时为N沟道MOS管，若衬底箭头指向背离虚线（或实线）时，则为P沟道MOS管。
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