【摘要】:光探测过程的基本机理是光吸收。线性化逆变器输出电压的dq分量ud、uq,定义变量vd、vq,令图5-1 PN结光探测器原理说明a)反向偏置的PN结,在耗尽区产生线性变化的光场,当光入射时,光生电子空穴对分别向N区和P区漂移,在外电路产生光生电流 b)探测器的频率响应带宽
光探测过程的基本机理是光吸收。假如入射光子的能量hν超过禁带能量Eg,只有几微米宽的耗尽区每次吸收一个光子,将产生一个电子-空穴对,发生受激吸收,如图4-4c和图5-1a所示。在PN结施加反向电压的情况下,受激吸收过程生成的电子-空穴对在电场的作用下,分别离开耗尽区,电子向N区漂移,空穴向P区漂移,空穴和从负电极进入的电子复合,电子则离开N区进入正电极。从而在外电路形成光生电流IP。当入射功率变化时,光生电流也随之线性变化,从而把光信号转变成电流信号。
光敏二极管的本征响应带宽由载流子在电场区的渡越时间ttr决定,而载流子的渡越时间与电场区的宽度W和载流子的漂移速度Vd有关。由于载流子渡越电场区需要一定的时间ttr,对于高速变化的光信号,光敏二极管的转换效率就相应降低。
定义光敏二极管的本征响应带宽Δf为,在探测器入射光功率相同的情况下,接收机输出高频调制响应与低频调制响应相比,电信号功率下降50%(3dB)时的频率,如图5-1b所示,Δf与上升时间τtr成反比
式中,上升时间τtr定义为输入阶跃光脉冲时,探测器输出光电流最大值的10%上升到90%所需的时间。(www.xing528.com)
图5-1 PN结光探测器原理说明
a)反向偏置的PN结,在耗尽区产生线性变化的光场,当光入射时,光生电子空穴对分别向N区和P区漂移,在外电路产生光生电流 b)探测器的频率响应带宽
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