场效应管按导电沟道所用的材料可分为N沟道场效应管和P沟道场效应管;按结构分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET);按导电方式可分为耗尽型场效应管和增强型场效应管。
下面介绍几种常用的场效应管。
一、结型场效应管(JFET)
如图3.6-2(a)所示,结型N沟道场效应管是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区,形成两个PN结,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极G,N型半导体两端分别引出两个电极,分别称为漏极D和源极S。结型场效应管按导电沟道所用的材料可分为N沟道和P沟道。
栅偏压为零时存在较大漏极电流的场效应管称为耗尽型场效应管,栅偏压达到一定值时才有漏极电流的场效应管称为增强型场效应管。结型场效应管大部分为耗尽型,只有一些特殊情况才会用到增强型。
结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄,改变沟道导电特性来控制漏极电流实现电流放大,一般用于调制电路、放大电路、稳流电路、限流电路、自动保护电路、音频放大电路等。
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图3.6-2 结型场效应管内部结构
图3.6-3 绝缘柵型场效应管内部结构
二、绝缘栅型场效应管(MOSFET)
如图3.6-3所示,绝缘栅型场效应管也称为金属氧化物半导体场效应管,是目前应用最为广泛的场效应管,通常说的MOS管就是指绝缘栅型场效应管。绝缘栅型场效应管按导电沟道所用的材料可分为N沟道型与P沟道型;按导电方式可分为耗尽型和增强型。
当一个够大的电位差加于绝缘栅型场效应管的栅极与源极之间时,电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷,这时就会形成反转沟道。沟道的极性与漏极、源极相同。沟道形成后,绝缘栅型场效应管即可让电流通过,随着加于栅极的电压的改变,沟道流过的电流大小也会改变。
绝缘栅型场效应管是利用PN结之间感应电荷的多少改变沟道导电特性来控制漏极电流实现电流放大,一般用在开关电路、逆变器、镇流器、充电器、电动机驱动器、继电器驱动器中。
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