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TTL与非门的改进电路设计

时间:2023-06-20 理论教育 版权反馈
【摘要】:同时,VT2由导通变为截止后,由于VT6仍处于导通状态,为VT5基区存储电荷的泄放提供了低阻通路,加速了VT5的截止,从而提高了工作速度。图6.4.7CT74S肖特基系列与非门电路二、低功耗肖特基与非门电路图6.4.8所示为CT74LS低功耗肖特基系列与非门,它有如下特点:图6.4.8CT74LS低功耗肖特基系列与非门功耗低。

TTL与非门的改进电路设计

上述TTL门电路在实际中仍存在不足,为了提高开关速度、降低功耗、增强抗干扰能力,出现了一系列改进电路。

一、肖特基系列与非门电路

为提高电路的开关速度,需要设法降低三极管的饱和深度,使其工作在浅饱和状态。为此,在CT74S肖特基系列与非门电路中采用了抗饱和三极管(除了VT4外)和有源泄放回路,电路如图6.4.7所示。

和CT74H标准系列与非门相比,肖特基系列主要有以下优点:

(1)采用了肖特基抗饱和三极管,降低了VT2和VT5管的饱和深度,从而提高了TTL与非门的速度。

(2)采用了由VT6、R3、R6构成的有源泄放回路,在VT2由截止变为导通的瞬间,由于R3的存在,VT2发射极电流绝大部分流入VT5的基极,使VT5优于VT6导通,从而缩短了开通时间。而在VT5导通后,VT6接着导通,分流了VT5部分基极电流,使VT5工作在浅饱和状态,这也有利于缩短VT5由导通变为截止的转换时间。同时,VT2由导通变为截止后,由于VT6仍处于导通状态,为VT5基区存储电荷的泄放提供了低阻通路,加速了VT5的截止,从而提高了工作速度。

(3)因有源泄放回路的存在,VT2只有在VT5、VT6发射结导通时才会导通,故不存在VT2先于VT5导通的线性区,从而改善了电压传输特性。

图6.4.7 CT74S肖特基系列与非门电路

二、低功耗肖特基与非门电路

图6.4.8所示为CT74LS低功耗肖特基系列与非门,它有如下特点:(www.xing528.com)

图6.4.8 CT74LS低功耗肖特基系列与非门

(1)功耗低。因为电路中各电阻的阻值大幅提高,同时,将R5直接接到输出端,从而降低了整个电路的功耗。

(2)提高了工作速度。将输入级的多发射极三极管用肖特基二极管代替,使输入响应速度增快;同时,在中间级和输出级并接了VD4、VD5两个肖特基二极管,为VT2和VT5提供了低阻的泄放回路,从而提高了工作速度。

三、其他改进与非门

1.ECL门电路

ECL门电路又称为射极耦合逻辑门电路,该类门电路中三极管都工作在非饱和状态,故工作速度很高,它的主要缺点是制造工艺要求高、功耗大。常用于超高速数字系统中。

2.I2L门电路

I2L门电路又称为集成注入逻辑门电路,这种电路结构简单、易于实现高集成度,主要用在大规模和超大规模集成电路中。但它的高、低电平电压值很小,抗干扰能力差,工作速度低。

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