【摘要】:双极型器件晶体管和场效应晶体管,开关管都有采用,如图3-4所示,以场效应晶体管为多。表3-1列出了晶体管QM5HG-24和场效应晶体管BFC40的部分参数。图3-4 开关管的电路结构符号图大功率场效应晶体管,如图3-4b所示,G、S间并接有双向击穿二极管,在D、S极间反向并联有二极管,两者都对场效应晶体管起到保护作用。对场效应晶体管的测量,应利用G、S结电容的电荷存储特性,观测D、S极间电阻变化的方法,检测其好坏。
双极型器件晶体管和场效应晶体管,开关管都有采用,如图3-4所示,以场效应晶体管为多。
表3-1列出了晶体管QM5HG-24和场效应晶体管BFC40的部分参数。
表3-1 晶体管QM5HG-24和场效应晶体管BFC40的部分参数
型号为K1317和K2225的场效应晶体管应用最多,两者可互换。
器件互换首先考虑的是耐压和工作电流值,尤其是耐压值,应不低于1200V为宜。另外,应注意封装形式,C极或漏极接金属散热壳体的,应加装绝缘片和涂覆导热硅脂后进行安装。(www.xing528.com)
大功率晶体管,如图3-4a所示,B、E极间并接有几十欧姆的电阻。测量发射结的正、反向电阻为一并接电阻的阻值。但集电结的正、反向电阻特性同一般晶体管。应与好的管子对比,测量晶体管的放大倍数,这在故障检修中尤为重要。
图3-4 开关管的电路结构符号图
大功率场效应晶体管,如图3-4b所示,G、S间并接有双向击穿二极管,在D、S极间反向并联有二极管(有资料说,此二极管为工艺过程中自然生成),两者都对场效应晶体管起到保护作用。测量D、S极间呈二极管的正、反向电阻特性。对场效应晶体管的测量,应利用G、S结电容的电荷存储特性,观测D、S极间电阻变化的方法,检测其好坏。具体测量方法见2.1的相关内容。
故障检修中,仅靠测量管子的电阻判断其性能是不够的,一般条件下对管子的低效、老化现象是检测不出的,须根据故障现象综合分析,不放过看似“隐蔽”的故障环节和表现,“揪”出故障元件。
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