如何脱机测量单/双管模块的好坏？

1）此法常用于大功率单/双管模块和新购进一体化模块的测量。

将单/双管模块脱开电路后（或为新购进的模块），可采用测量场效应晶体管（MOS-FET）的方法来测试该模块。MOSFET的栅-阴极间有一个结电容存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。对于IGBT，存在一个G、E极间的结电容和C、E极之间的结电容，利用其G、E极之间的结电容的充电、电荷保持、放电特性，可有效检测IGBT的好坏。

方法是将指针式万用表拨到R×10k档，黑表笔接C极，红表笔接E极，此时所测量电阻值近乎无穷大；搭好表笔不动，用手指将C极与G极碰一下并拿开，指示由无穷大阻值降为200kΩ左右；过一、二十秒钟后，再测一下C、E极间电阻（仍是黑表笔接C极，红表笔接E极），仍能维持200kΩ左右的电阻不变；搭好表笔不动，用手指短接一下G、E极，C、E极之间的电阻又重新变为接近无穷大。

实际上，用手指碰一下C、G极，是经人体电阻给栅、阴结电容充电，拿开手指后，因此电容无放电回路，故电容上的电荷能保持一段时间。此电容上的充电电压，为正向激励电压，使IGBT出现微导通，C、E极之间的电阻减小；第二次用手指短接G、E极时，提供了电容的放电通路，随着电荷的泄放，IGBT的激励电压消失，管子变为截止，C、E极之间的电阻又趋于无穷大。

手指相当于一只阻值为数kΩ级的电阻，提供栅阴极结电容充、放电的通路；因IGBT的导通需较高的正向激励电压（10V以上），所以使用指针式用万表的R×10k档（此档位内部电池供电为9V或12V），以满足IGBT激励电压的幅度。指针式万用表的电阻档，黑表笔接内部电池的正极，红表笔接内部电池的负极，因而黑表笔为正，红表笔为负。这种测量方法只能采用指针式万用表。

对触发端子的测量，还可以配合电容表测其容量，以增加判断的准确度。往往功率容量大的模块，两端子间的电容值也稍大。

2）下面为双管模块CM100DU-24H和SKM75GB128DE及集成式模块FP25R12KE3，用MF47C指针式万用表的R×10k档测量出的数据。

CM200Y-24H模块：主端子C1，C2、E1、E2；触发端子G1、E1、G2、E2；触发后C、E极间电阻为250kΩ；(www.xing528.com)

用电容表200nF档测量触发端子电容为36.7nF，反测（黑表笔搭G极，红表笔搭E极）为50nF。

SKM75GB128DE模块：主端子同上，触发后C、E极间电阻为250kΩ；

触发端子电容：正测为4.1nF，反测为12.3nF。

FP25R12KE3集成模块：也可采用上述方法，触发后为C、E极间电阻为200kΩ左右；

触发端子电容正测为6.9nF，反测为10.1nF。

脱机测量得出的结果，基本上可判定IGBT的好坏，但仍不是绝对的。

在线测量或脱机测量之后的上电测量，才能最后确定模块的好坏。上电后先空载测量三相输出电压，其中不含直流成分，三相电压平衡后，再带上一定负载，一般达到5A以上负载电路，逆变模块导通、内阻变大的故障便能暴露出来，详见后面章节。