【摘要】：在图5-23a中，由提出的ESD保护电路保护的所有混合电压I/O缓冲器中的SNTSCR器件宽度均为60μm。通过测量，比较了采用和不采用ESD保护电路的混合电压I/O缓冲器在PS模式下的机器模型的ESD级别，结果如图5-23b所示。结果表明，采用沟道宽度为120μm层叠NMOS的混合电压I/O缓冲器的MM ESD级别可以得到显著改善。采用宽度仅为60μm SNTSCR的ESD保护电路，其ESD级别从约200V提升到约800V。
通过测量，比较了采用和不采用ESD保护电路的混合电压I/O缓冲器在PS模式下的HBM ESD级别，结果如图5-23a所示。作为对比，还测试了具有不同层叠NMOS沟道宽度的混合电压I/O缓冲器。通过使用提出的采用SNTSCR器件的ESD保护电路可以使混合电压I/O缓冲器的HBM ESD级别（层叠NMOS沟道宽度为120μm）获得明显的改善，从初始时的约2kV提升到高于8kV。在图5-23a中，由提出的ESD保护电路保护的所有混合电压I/O缓冲器中的SNTSCR器件宽度均为60μm。
通过测量，比较了采用和不采用ESD保护电路的混合电压I/O缓冲器在PS模式下的机器模型（MM）的ESD级别，结果如图5-23b所示。作为对比，也测试了具有不同层叠NMOS沟道宽度的混合电压I/O缓冲器。结果表明，采用沟道宽度为120μm层叠NMOS的混合电压I/O缓冲器的MM ESD级别可以得到显著改善。采用宽度仅为60μm SNTSCR的ESD保护电路，其ESD级别从约200V提升到约800V。
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图5-23 a）在混合电压I/O缓冲器中层叠NMOS的沟道宽度不同时，采用和不采用ESD保护电路的混合电压I/O缓冲器在PS模式下的HBM ESD鲁棒性比较 b）在混合电压I/O缓冲器中层叠NMOS的沟道宽度不同时，采用和不采用ESD保护电路的混合电压I/O缓冲器在PS模式下的MM ESD鲁棒性的比较
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