直到现在，仅讨论了由于工艺导致的波动。本节将介绍作为潜在波动源的物理版图的影响。本节的实例是一个简单的一维情况，即一个线条和间距规则排列的版图。其中只考虑间距发生变化，而线条宽度保持不变。图3-13重点说明了其关键效应：从较小的间距开始，由于低k情况下存在的非线性成像过程，使得光刻得到的线宽随着版图上线条间距的增加而减小。随着k因子的减小，该效应越来越显著。图3-13是基于193nm的曝光波长、0.75的数值孔径和外部σ为0.9的常规照明情况下的仿真结果。每个曲线的最小节距对应于条宽和间距相等的线条图形情况，版图的半节距定义了k因子。每根曲线随节距变化的形状与数值孔径、所用照明的类型以及相干性有关。对于不同的照明设置，CD与节距关系曲线的实例如图3-14所示。对于线条间距较小即线条比较靠近的情况，CD的剧烈下降程度基本与照明的设置无关，这是由于彼此比较靠近的线条之
图3-13 对简单的一维排列，CD随节距的变化关系
（保持线条宽度不变，通过间距变化产生节距变化。对不同的k值，变化的幅度如图所示）
间的相消干涉引起的。而对于中等节距（大约500nm的节距）和长节距情况，CD变化情况与照明设置的关系非常密切，这一效应有时被用来修正被包围的以及独立线条的偏移。尽管不同照明设置引起的效应不同，但它们都导致了光刻后CD的变化，而且变化程度与该线条距最近的相邻线条的距离长短有关。当试图减小光刻的最小间距时，该效应变得越来越显著。图3-15所示为最大Δ随k的变化关系。在低k范围，CD变化已经接近线宽本身。为了对不同节距情况下能保持线宽不变，应在掩膜版上调整CD值以抵消这些变化。然而若修正较大，则易形成误差。用来修正这些成像变化的光学邻近修正技术将在3.3节中详细介绍。(www.xing528.com)
图3-14 以照明设置参数σ为参变量，CD随节距的变化情况
图3-15 光刻后线条CD的最大偏差与k因子的关系
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