对于真实的太阳电池器件而言,太阳电池各层材料、前表面和背表面电极接触及引线接触均不可避免地引入了附加电阻。在等效电路中,可将其总效果用串联电阻Rs来表示。此外,由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时,在电池的微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等,使一部分本应通过负载的电流短路,这种影响可用并联电阻Rsh来等效。考虑寄生电阻后的太阳电池的等效电路如图6.8所示。
根据基尔霍夫电流方程和图6.8可知
式中 Jsh,Vsh——由Rsh引起的分流电流和分流电压[6]。
由式(6.60)~式(6.62)可见,这两种寄生电阻都会降低太阳电池的性能,其中Rs主要是分压的作用,Rsh则主要是分流的作用。因此很高的Rs和很低的Rsh会分别导致太阳电池性能的下降。将上述三个式子带入式(6.54),得到
上式即为考虑了寄生电阻后太阳电池的伏安特性方程。式(6.63)为未考虑各种复合过程的伏安特性曲线,若进一步利用修正后的肖克莱方程式(6.45),则J-V曲线进一步精确为[7]
根据式(6.64)设定电压V为自变量,J为因变量。在Matlab中编写solarcelljV程序,可以绘出太阳电池J-V特性。自编Matlab程序如下所示:(www.xing528.com)
图6.9和图6.10所示为在其他参数不变情况下,单纯Rs或Rsh变化对太阳电池伏安特性曲线的影响。
图6.9 Rs对伏安特性曲线的影响
图6.10 Rsh对伏安特性曲线的影响
由图6.9可见,太阳电池等效电路中的串联、并联电阻对太阳电池的性能影响很大。随着Rs的增加,FF减小;当Rs增加到非常大的数值时,Jsc开始减小;而Voc几乎不受Rs的影响[13]。太阳电池要获得高的效率,就要使Rs减至最小,一般要求Rs在0.5Ω·cm2以下[14]。
由图6.10可见,随着Rsh的减小,FF同样减小;当Rsh减小到非常小的数值时,Voc开始减小;而Jsc几乎不受并联电阻的影响[15]。在太阳电池的制备过程中,总是希望Rsh越大越好,最好在1000Ω·cm2以上[14]。并且,S.Ashok等[16]研究发现串联电阻和并联电阻与电池J-V特性曲线的斜率有一定的关系:串联电阻Rs近似等于J-V曲线在Voc点处斜率的负导数;并联电阻Rsh近似等于J-V曲线在Jsc处斜率的负导数。
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